рефераты рефераты
Главная страница > Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів  
Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів
Главная страница
Новости библиотеки
Форма поиска
Авторизация




 
Статистика
рефераты
Последние новости

Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів


У МДН- структур з затвором з паладію при наявності водню, молекули останнього при адсорбції дисоціюють на атоми, що розчиняються в паладії і під дією градієнта концентрації дифундують до границі поділу Pd-SiO2 [2]. На цій границі внаслідок реакції H←→H+ + e− утворюється дипольний шар, іони розташовуються на активних центрах границі поділу Pd-SiO2, а електрони залишаються в паладії. Таким чином в діелектрику появляється додатковий заряд, який приводить до зсуву ВАХ, зміни напруг плоских зон та порогової напруги. Існує декілька конструкцій датчиків хімічного складу на основі МДН-структур. Наприклад, диференціальний датчик водню на МДН – транзисторі має вид представлений на Рис. 7. На одному кристалі формують два МДН – транзистора, що відрізняються лише матеріалом металічного затвору. Шар SiO2

отриманий термічним окисленням, Si3N4 (50 нм) – осадженням із газової фази, шар платини (50 нм) та паладію (50 нм) напилюються через металічну маску. Щоб забезпечити нечутливість одного з МДН- транзисторів до зміни концентрації водню в середовищі, зверху палладію нанесено шар (1 мкм) металу, що не поглинає водень (Al, Ni, Cu, Au, Ag). На виході диференціальної схеми вимірюється величина зміни порогу напруги dUпор.

Рис.7. Диференціальный датчик водню на МДН-транзисторі: 1 —Si підложка; 2 — шар SiO2; 3 —шар Si3N4; 4 — платина; 5 — палладій; 6— мідь; 7 — срібло; 8 — спільний стік; 9 — стік первого МДН- транзистору; 10 — стік второго МДН-транзистору; 11 — охоронні кільця; 12 — нагрівник [3]

В [5] показано приклад технології (пошарово) отримання мікродатчиків газу на основі оксиду олова без платинового датчику температури (Рис.8 а) та (Рис.8 б) з платиновим датчиком температури.



Рис. 8. (a)Мікрофотографія датчику без чутливого шару (б) фотографія скануючого електронного мікроскопу оксидного покриття [5]

Як видно з приведених прикладів (Рис. 9, 10) отримання датчиків газу багатоетапний, технологічно складний процес, що складається з різного типу росту (осадження, напилення) структури, полірування, травлення, фотолітографії, нанесення металічних контактів. Матеріали, що використовуються при цьому та суть самих процесів досить відомі, проте велике значення мають параметри самих процесів (тиск, температура, струм, тощо та їх залежність з часом), що є вже результат досвіду виконавців і найчастіше є більш-менш секретною інформацією фірм-виробників.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18

рефераты
Новости