Главная страница > Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

Форма поиска
Показать/спрятать результаты

Авторизация

Статистика

Последние новости
Новости

Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

В [7] показано чутливість на NОx сильнотекстурованої (Рис.12 ) плівки In2O3 отриманої методом MOCVD (осадження металлорганічних сполук із газової фази). Дана структура надзвичайно чутлива на парціальний тиск NOx (Рис.13), а також на робочу температуру (Рис.14)

Fig. Рис.12 Фотографія вивисокотекстурованої поверхні поверхні плівки bc- In2O3 нанесеної на сапфір (0. [7]

Рис.13. Зміна опору плівка в часі від питомого тиску 0.002,

0.004, 0.008, 0.01, 0.05, 0.15, 0.5, 1, 10 mбар NOx при кімнатній температурі. [7]

Рис.14 Вплив температури на часову залежність нормалізованого опору

при 0.01 mбар NOx. [7]

Показано, що такий датчик придатний і для детекції кисню, але його чутливість на кисень значно нижча (Рис.15,16).


Рис.15 Вплив температури на залежність відповіді датчику від парціального тиску NOх [7]	Рис.16 Вплив температури на залежність відповіді датчику від парціального тиску O2 [7]

Останній час в якості газових детекторів досить модними є детектори на базі гетероструктур GaN/AlGaN.

Так наприклад в [8] , показа можливість детектування даними структурами наступних газів: H2, CO, C2H2, NO2. Така можливість здійснена на базі GaN/AlGaN транзистора (шари GaN, AlGaN, AlN отримано плазма індукованою МПЕ-молекулярно-пучкова епітаксія) з високою рухливістю електронів (Рис.17).

Рис.17 а) .Переріз газового датчику на основі GaN/AlGaN – транзистору на рухливих електронах (HEMT). Пунктирна лінія показує область двомірного електронного газу в GaN/AlGaN гетеропереході. [8]

В даному транзисторі, в якості затвору виступає каталітично активний пористий електрод з платини (Рис. 17 б), який пропускає скрізь себе H до шару GaN. В свою чергу Pt виступає як каталізатор окислення GaN молекулами O2, CO, C2H2, NO2 (Рис.18)

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18

Новости