Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів
2.3 Технології,
що
використовуються
при побудові
датчиків
газів
Для
отримання
сучасних
високочутливих
датчиків
газів, коли
надзвичайно
важливою є
досконалість
(геометрія,
склад) поверхні
напівпровідника,
металу що
використовується
у
виробництві
датчиків
газів, необхідне
використання
сучасних
високих
технологій: 1)
отримання
хімічно
надзвичайно
чистих
вихідних
речовин,
сполук 2)
створення з
їх
використанням
максимально
досконалих
структур.
Обидва
пункти
охоплюють
досить
широкий спектр
фізичних,
хімічних
технологій.
Однак
стосовно
самої
побудови
датчиків
слід мабуть
відмітити
наступні
високотехнологічні
методи
сьогодення: CVD
(Chemical vapor deposition)- хімічне
осадження з
газової фази
( її
різновидністей
- MOCVD -Metal Organic Chemical Vapor Deposition –
осадження металлорганічних
сполук із
газової фази,
PACVD (Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition), PECVD - (Plasma Enhanced
Chemical Vapour Deposition)
осадження в
присутності
плазми, LCVD (Laser CVD) – в
присутності
лазера) та MBE (Molecular Beam
Epitaxy)- молекулярно
променева
(пучкова)
епітаксія
(МПЕ), методи
травлення,
фотолітографії,
полірування.
CVD-процес (Chemical
vapor deposition) хімічний
процес, що
використовується
для отримвання
високочистих
твердих
матеріалів.
Процес часто
використовується
в індустрії
напівпровідників
для
створення тонких
плівок. В
типовому CVD-процесі,
підложка
розташовується
в парах одного
або
декількох
речовин, які,
вступаючи в
реакцію і/або
розкладаючись,
створюють на
поверхні
підложки необхідну
речовину.
Часто
утворюється
газоподібний
продукт
реакції, що
виноситься з
камери
потоком газу.
За допомогою CVD-процесу
створюються
матеріали
різних структур
:
монокристали,
полікристали,
аморфні тіла
та епітаксіальні.
Приклади
матеріалів:
кремній (мікросхемотехніка),
вуглецеве
волокно, вуглецеве
нановолокно,
вуглецеві
нанотрубки, SiO2,
діелектрики,
синтетичні
алмази...
Наприклад,
полікристалічний
кремній
отримують із
силанів при
наступній
реакції [19]:
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18 |
