Главная страница > Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

Форма поиска
Показать/спрятать результаты

Авторизация

Статистика

Последние новости
Новости

Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

В [11] показано значний ріст чутливості датчика на базі діода Шоттки з GaN структурою (GaN/AlGaN структура отримана методом MOCVD) (Рис.) при рості температури детектування з 200 до 800 оС. Цей зріст обумовлений пониженням барєру Шоттки на 11-120 meV (Рис.25)[11]

Рис.23. Переріз ітруктури Pt–AlGaN/GaN Шоттки діодного газового детектора. [11]

Рис.24. Залежність ВАХ характеристики Pt-AlGaN/GaN Шоттки діода при 0 та 5% концентраціях водню в азоті, при 200 та 800 оС. [11]

Рис.25. Залежність висоти барєру Шоттки в Pt-

AlGaN/GaN діоді в N2 та 5% H2/95% N2 як функція температури. [11]

Значно чутливішу (1% H2) структуру на основі GaN/AlGaN структури отримали (ріст структури здійснили МПЕ) при використанні двох діодів Шоткі, в одному з яких один має Pt, другий -Ti/Au контакт (Рис. 24-26) [12]. Ti/Au покриття забезпечує непроникнення водню до шару напівпровідника, а це в свою чергу дає можливість здійснювати диференціальне (порівняльне) вимірювання обох діодів, що значно підвищує чутливість датчика [12].


Рис.26. Мікрофотографія диференціальних діодів детектора газу.Активний діод виконаний з 10 nm Pt електродом, а порівняльний з Ti/Au електродом. [12]	Рис.27. Абсолютні та порівняльні струми в HEMT діодах виміряні при 25°C. [12]	Рис. 28. Абсолютні та порівняльні струми в HEMT діодах виміряні при 25°C. [12]

Для підвищення стабільності в часі роботи датчиків водню автори [12] в подальшому пропонують використати TiB2 [13] в якості омічного контакту в гетероструктурі діоду (Рис. 29-30).


Рис.29. Схематичне зображення HEMT діодного детектору водню з використанням TiB2 омічного контакту. Пунктирна лінія –область двомірного електронного газу. [13]	Рис.30. Порівняння стабільності в часі детекції газових детекторів при використанні електроду з і без TiB2. [13]

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18

Новости