Главная страница > Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

Форма поиска
Показать/спрятать результаты

Авторизация

Статистика

Последние новости
Новости

Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів


Рис.17 б) Геометричні розміри поверхневого контакту детектора з контакту Pt активним електродом. (Gate-затвор, source -стік, drain- витік) [8]

Рис.18. Пропонований механізм газової детекції датчику Pt -HEMT газового датчику (Ha, Hi: місце адсорбований водень, Xa, Xi: адсорбовані молекули досліджуваного газу). [8]		Рис.19. ВАХ датчику при різних концентраціях H2 для 4% суміші O2 в N2 при температурі 300 оC . [8]

Наявність адсорбції H та окислення GaN O2, CO, C2H2, NO2 призводить до зміни провідності між витоком і стоком (Рис. 17 б). Залежність чутливості від вмісту H2 показано на (мал 19) [8].

Рис.20. Відносна зміна струму стік-витік (сигналу) в Pt–Ga- -HEMT від концентрації газів H2, C2H2, CO, NO та NO2 розчинених в 4% O2 суміші N2. Вимір відбувся при 400 оС. [8]

Чутливість максимальна (відносна зміна струму між стоком та витоком) при 400 оС, а відносна чутливість максимальна для випадку молекул водню (Рис. 20).

Можливо тому, що на даний час найбільша чутливість датчиків на основі GaN/AlGaN гетероструктур, найбільш зусиль прикладається до вдосконалення датчиків на даних структурах. Так в [9] показано можливість використання в МОН транзисторах а в [10] діодів Шоттки на базі GaN/AlGaN гетероструктур (GaN/AlGaN структура отримана методом MOCVD) з додатковим діелектричним шаром оксиду скандію (Sc2O3) (Рис. 21).

Рис.21. Фотографія та переріз метал-оксид-напівпровідник-HEMT стуктури- детектора водню. [9]

Рис.22. Часова залежність струму стік-витік при різних швидкостях зміни концентрації H2 (від чистого азоту до 1% H2/99% N2)

Другий малюнок показує оборотність процесу. [9]

Каталітично дисоціований платиновим елетродом водень дифундує до інтерфейсу Sc2O3/AlGaN, що приводить до зменшення ефективного бар’єру в МОН затворі на 30-50 meV, що в свою чергу дає зріст струму витік- стік [9]. Ця зміна дає ріст чутливості датчика та дає можливіст його використання при кімнатних температурах [9] (Рис.22)

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18

Новости