Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів
SiH4 → Si + 2 H2
Температура
при цьому між
600 та 650 °C , а тиск
від 25 до 150 Па, а
швидкість
осадження 10-20 нм
за хвилину.
Діоксид
кремнію може
наноситися
декількома
процесами:
SiH4 + O2 → SiO2 + 2 H2
SiCl2H2 + 2 N2O → SiO2
+ 2 N2 + 2 HCl
Si(OC2H5)4 → SiO2 +
byproducts
MOCVD –
метод
епітаксіального
росту
матеріалів
особливо
напівпровідників
шляхом термічного
розкладу (піроліз)
із
органічних
газів, що
містять необхідні
хімічні
елементи.
Наприклад
арсенід
галлію (GaAs)
вирощують на
підложці з
використанням
в реакторі
триметилгаллія
(CH3)3Ga та
триметиларсену
(C6H5)3As. Сам
термін
запропонував
засновник
методу
Гарольд
Марасевит в 1968
році [20]. На
відміну від
MПE ріст
здійснюється
не в вакуумі,
а в присутності
газу при
помірному
тиску (від 2 до 100
кПа). Система
складається
з реактора –
камери, зробленого
з хімічно
інертного
матеріалу,
який повинен
видержувати
високу
температуру. Сама
підложка
розташована
на
підложкотримачі
з контролем
температури.
Газ до системи
вводиться
шляхом
продування
так званого
транспортного
газу
(найчастіше H2
або N2) через
металорганічну
рідину і
забирає з
собою частину
металорганічних
парів.
Молекулярно-пучкова
епітаксія
(МПЕ) [21] - технологія
епітаксіального
росту в
умовах надвисокого
вакума.
Дозволяє
отримувати
гетероструктури
заданої
товщини з
моноатомно
гладкими
гетеропереходами
і з заданим
профілем
легування. В
установках
МПЕ є
можливість
досліджувати
якість
плівок ‘in situ’
(тобто прямо
в ростовій
камері під
час росту).
Для процесу
епітаксії
необхідні
надзвичайно
чисті підложки
з атомарно
гладкою
поверхнею.
Технологія
МПЕ була
створена в
кінці 1960-х
років Дж. Р. Артуром
(J. R. Arthur) и
Альфредом Чо
(Alfred Y. Cho). Це
надзвичайно
потужна та
коштовна
технологія.
Як
було
показано в
попередньому
розділі, саме
ці
технології
отримання
високочистих
з докладною
геометрією
структур,
лежать в
основі
перспективних
на сучасний
стан
датчиках
газів.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18 |
