Главная страница > Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

Форма поиска
Показать/спрятать результаты

Авторизация

Статистика

Последние новости
Новости

Курсовая работа: Фізико-технологічні основи одержання чутливих елементів для датчиків газів

Цікава конструкція на базі In2O3 наношару (отримано з допомогою МПЕ) високочутлитвого (~40 ppb – 40 частинок на мільярд) детектору озону представлена в [14] (Рис.31-32). Автори інтегрували активний шар In2O3 з синім LED (light emitted diode)- високоінтенсивний діод (Рис. 32), випромінювання якого активує оксидний шар.

Рис.31. Відношення опору шару In2O3 при наявності озону до опору при освітленні ультрафіолетовим випромінюванням діодом, в залежності від енергії фотону та від концентрації озону. [14]

Рис.32. Схематичний переріз та фотографія детектору озону з ультрафіолетовим активаторним GaInN

LED на квантових ямах. [14]

В [15] показано, що в якості детектора водню є можливість використання резистивного шару на основі силікату вуглецю (SiC). Для цього на поверхню Si (001) n- типу нанесено епітаксіальну 4 мкм плівку 3C- SiC (газофазна епітаксія) з NiCr омічними контактами (Рис. 33). Детекцію водню проведено в суміші з Ar. Показано, що поріг чутливості датчику є на рівні 0.33% H2.

Також показано, що датчик з 3C- SiC/Si є більш чутливий порівняно з простим датчиком Si (001) n- типу (Рис. 34). В праці є сумніви, чи відбувається адсорбція молекул H2 до поверхні напівпровідника, чи відбувається дисоціація H2 і в подальшому атомарний водень проникає до контакту метал-напівпровідник [15].

Рис.33. Схематичне зображення детектору водню з резистивним шаром 3C–SiC на n-type Si(001).

На часовій залежності зображено зміну вмісту водню в аргоні з кроком 10% (від 0 до 100%). Пунктирна лінія представляє детекцію без, суцільна з шаром 3C–SiC. Температура детекції 50 оС. [15]

Рис.34. Детекція водню при 50 оС (без і з шаром 3C–SiC). Покрокове зростання та зменшення на 10 % концентрації водню в аргоні- показує оборотність процесу адсорбції водню. [15]

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18

Новости