Книга: Электричество и магнетизм
6.
Выразить
логарифмический декремент затухания (11) через параметры R , L , С и
вычислить его. Сравнить полученный результат с экспериментальным.
7.
Заменить в схеме
конденсатор на С = 6800 пФ и повторить все измерения и вычисления.
8.
Сравнить значения
δ при разных С и сделать вывод.
Изучение зависимости логарифмического
декремента затухания от индуктивности
1.Включить конденсатор С = 13600 пФ, магазин индуктивностей на
100 мГн, магазин сопротивлений на 200 Ом.
2.Произвести все измерения и вычисления, обозначенные в пунктах
3-6 предыдущего задания.
3.Включить магазин индуктивностей на 50 мГн, повторить все
измерения и вычисления.
4.Сравнить логарифмические декременты при разных L, сделать
вывод.
Изучение зависимости логарифмического
декремента затухания от сопротивления контура
1.
Включить
конденсатор С= 13600 пФ, магазин индуктивности на 100 мГн.
2.
Меняя
сопротивление контура через каждые 100 Ом, получить затухающие колебания,
измерить амплитуды колебаний, вычислить для каждого случая логарифмические
коэффициенты затухания.
3.
Результаты
измерений и вычислений занести в таблицу 1:
4.
Пользуясь
магазином сопротивлений, найти критическое сопротивление, при котором наступает
апериодический процесс. Сравнить найденное значение с рассчитанным по формуле  .
5.
Построить график
зависимости логарифмического декремента затухания от сопротивления контура.
Таблица 1
| № |
R, Ом |
С,
пФ |
L,
мГн |
А1
|
А
2
|
А3
|
А4
|
An/An+1
|
δ |
δт
|
Δδ |
| 1 |
200 |
13600 |
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| 2 |
200 |
6800 |
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| 3 |
200 |
13600 |
50 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| 4 |
100 |
13600 |
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| 5 |
300 |
13600 |
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| 6 |
400 |
13600 |
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| 7 |
500 |
13600 |
100 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29 |
