Курсовая работа: Конструирование модуля ЭВМ для обработки телеметрических данных

Безотказностью называется свойство аппаратуры непрерывно сохранять работоспособность в течение определенного времени.

Вероятность безотказной работы – вероятность того, что в пределах заданной наработки – отказ не возникнет.

Отказом называется событие, заключающееся в полной или частичной потере работоспособности изделия.

Существуют различные методы повышения надежности. Наиболее жесткие требования по надежности предъявляют к космической РЭА и РЭА специального

назначения. При этом необходимо еще учитывать, что указанные категории аппаратуры, подвергаются сложным климатическим и механическим воздействиям. К общим мерам по обеспечению заданной высокой надежности относятся:

1.  четкая регламентация условий эксплуатации изделий;

2.  выбор для изделия комплектующих элементов обладающих высокой надежностью и стабильностью характеристик;

3.  реализация технологических мероприятий обеспечивающих бездефектное изготовление устройств;

4.  создание системы всесторонних производственных испытаний, обеспечивающих выявление производственных дефектов аппаратуры и ее элементов.

Произведем расчет надежности изделия.

Вначале рассчитаем интенсивность отказов каждой группы элементов. Выбранные по табличным данным значения λoi, для используемых в модуле ЭРИ.

Таблица 27 - Интенсивность отказов каждой группы элементов

Используя полученные данные, определяются интенсивности отказов ЭРИ.

Интенсивность отказов резисторов:

λр= λoр к mр ,1/ч

λр= 0,87*2,07*8= 14,4 *10-61/ч

Интенсивность отказов диодов:

λд= λoд к mд ,1/ч

λд= 0,2*2,07*5= 2,07*10-6 1/ч

Интенсивность отказов конденсаторов:

λк= λoк к mк ,1/ч

λк= 0,04*2,07*28= 2,32*10-6 1/ч

Интенсивность отказов микросхем:

λмкс= λoмкс к mмкс ,1/ч

λмкс= 0,013*2,07*18= 0,48*10-6 1/ч

Интенсивность отказов паяльных соединений:

λпс= λoпс к mпс ,1/ч

λпс= 0,01*2,07*450= 9,32* 10-61/ч

Интенсивность отказов кварца:

λкв= λoкв к mкв ,1/ч

λкв= 0,05*2,07*1=0,1*10-6 1/ч

Определяем интенсивность отказов модуля:

Λ=Σ λi ,1/ч

Λ=14,4 +2,07 +2,32 +0,48 +9,32+0,1=28,69 *10-61/ч

Определяем среднее время наработки на отказ:

Тср. расч=1 / Λ, ч

Тср. расч=1 / 28,69*10-6=34855 час

Определяем вероятность безотказной работы:

Р(t)=е - Λt

Р(1000)=е -28,69*1000 = 0.98

Заключение

В последнее время научно-исследовательские и производственные предприятия радиотехнической и электронной промышленности передовых стран мира тратят много сил и средств на отыскание путей уменьшения габаритов и массы радиоэлектронной аппаратуры. Работы эти получают поддержку потому, что развитие многих отраслей науки и техники, таких как космонавтика, вычислительная техника, кибернетика, бионика и другие, требуют исключительно сложного электронного оборудования. К этому оборудованию предъявляются высокие требования, поэтому аппаратура становится такой сложной и громоздкой, что требования высокой надежности и значительного уменьшения габаритов и массы приобретают важнейшее значение. Особенно эти требования предъявляются ракетной технике. Известно, что для подъема каждого килограмма массы аппаратуры космического корабля необходимо увеличить стартовую массу ракеты на несколько сотен килограммов. Чтобы удовлетворить эти требования, необходимо миниатюризировать аппаратуру. Это достигается несколькими методами конструирования радиоэлектронной аппаратуры.

При микромодульном методе конструирования повышение плотности монтажа достигается за счет применения специальных миниатюрных деталей и плотного их монтажа в микромодуле. Благодаря стандартным размерам микромодули размещаются в аппаратуре с минимальными промежутками.

Применение гибридных интегральных микросхем и микросборок также дало возможность миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры. При использовании микросхем повышение плотности монтажа достигается тем, что на общей изоляционной подложке располагаются в виде тонких пленок резисторы, проводники, обкладки конденсаторов, такой же принцип используются и в устройствах, изготовленных методом молекулярной электроники, при этом для создании пассивных (резисторы и конденсаторы) и активных (диоды, транзисторы) элементов схем используются слои полупроводниковых материалов.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22