Курсовая работа: Разработка магнитодиода
Требования к подложкам нелегированного полуизолирующего GaAs
приведены в таблице 6.1.
Таблица 6.1
|
Удельное сопротивление,
Ом· см
|
| - исходное |
>1· 108
|
|
- после термообработки 850оС, 60 мин.
|
>1· 108
|
| Тип проводимости |
р |
|
Подвижность носителей заряда, см2/В· сек
|
6000 |
|
Плотность дислокаций, см-2 и распределение их по
пластине
|
< 200
однородное
|
|
Концентрация остаточных примесей, см-3
|
<1· 1014
|
| Разброс характеристик по площади пластины,% |
< 3 |
|
Концентрация глубоких уровней, см-3
|
<1· 1014
|
| Нарушение стехиометрии в объеме и на поверхности |
отсутствует |
|
|
|
Технология формирования транзисторных структур [7]
В настоящее время и в обозримом будущем ионная имплантация
будет являться наиболее распространенным методом формирования активных слоев в
массового производства ввиду таких очевидных преимуществ, как: простота
осуществления, высокая однородность и воспроизводимость параметров
имплантированных слоев, локальность метода. Характерной особенностью процесса в
технологии GaAs является необходимость имплантации малых доз примеси и малые
глубины залегания слоев. Основными требованиями к оборудованию для имлантации
являются: контроль и воспроизводимость малых доз имплантируемой примеси,
формирование пучков с малым разбросом по энергиям (моноэнергетических), контроль
эмиссии источников ионов, контроль поперечного сечения пучка, подавление
эффектов каналирования, контроль привносимых загрязнений, заряда и температуры
пластин во время имплантации, отсутствие взаимодействия ионного пучка с конструкционными
материалами установок имплантации.
Помимо имплантации, существенным моментом формирования
активного слоя, является активационный отжиг, проводимый при температурах
порядка 800 - 900о С.
Тре6ования к технологии формирования активных слоев приведены
в таблице 6.2. [7]
Таблица 6.2
| Ионная имплантация |
| Имплантируемые ионы |
Si, Mg, Se, Be, B, Te, SiF2
|
| Энергия ионов, кэВ |
50 400 |
| Разброс по энергиям,% |
2 |
|
Доза имплантации, см-2
|
1· 1012 5· 1013
|
| Точность поддержания дозы,% |
1 |
|
Температура подложки, оС
|
25 - 400 |
Режим обработки пластин приведены в таблице 6.3. [7]
Таблица 6.3
| Режим обработки пластин |
групповой |
| Активационный отжиг |
| Способ отжига |
Термический в печи |
|
Температура отжига, оС
|
800-900 |
|
Точность поддержания температуры., оС
|
2 |
|
Разброс температуры в пределах пластины, оС
|
2 |
| Степень активации примеси,% |
> 90 |
| Параметры активных слоев |
|
Концентрация примеси в канале, см-3
|
10-12
|
|
Подвижность носителей заряда, см2/В* сек
|
3500 |
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
