Реферат: Приборы полупроводниковые
Тиристор с ннжектируюшнм управляющим электродом n-типа (Anodenseitig gesteuerter Thyristor, N-gate thyristor) –
тиристор, у которого вывод управляющего электрода соединен с n-областью,
ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на
управляющий электрод отрицательного по отношению к аноду сигнала.
Лавинный триодный тиристор, непроводящий в обратном
направлении (Avalanche reverse blocking thyristor) – тиристор с заданными характеристиками в точке
минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение
ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольтамперной
характеристики обратного непроводящего состояния.
Комбинированно-выключаемый тиристор – тиристор, выключаемый с помощью тока
управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения.
Импульсный тиристор (Pulse thyristor) – тиристор, имеющий малую длительность переходных
процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.
Оптоэлектронный полупроводниковый прибор (Optoelektronisches Halbleiterbauelement,
Semiconductor optoelectronic device) – полупроводниковый прибор,
излучающий или преобразующий когерентное или некогерентное электромагнитное
излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или)
ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для
внутреннего взаимодействия его элементов.
Полупроводниковый излучатель (Halblelterstrahler, Semiconductor
photoemitter) – оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий
электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения в оптической
области спектра.
Полупроводниковый знакосинтезирующий индикатор (Semiconductor character display)
ГОСТ 25066-81
Полупроводниковый приемник излучения оптоэлектронного
прибора (Приемник излучения) –
оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию оптического
излучения в электрическую энергию от полупроводникового излучателя и
работающего в паре с ним.
Оптопара
(Optoelektronischer Koppler, Photocoupler, optocoupler) – оптоэлектронный
полупроводниковый прибор, состоящий из излучающего и фотоприемного элементов,
между которыми имеется оптическая связь и обеспечена электрическая изоляция.
Резисторная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на
основе фоторезистора.
Диодная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе
фотодиода.
Транзисторная оптопара – оптопара с фотоприемным
элементом, выполненном на основе фототранзистора.
Тиристорная оптопара – оптопара с фотоприемным элементом, выполненном на основе
фототиристора.
Полупроводниковый прибор отображения информации (Lichtemitteranzeige (LEA), Semiconductor
optoelectronic display) – полупроводниковый излучатель энергии видимой
области спектра, предназначенный для отображения визуальной информации.
Дифференциальная диодная оптопара – диодная оптопара, в которой два близких по
определяющим параметрам фотодиода принимают световой поток от одного
излучателя.
Тиристорная оптопара с симметричным выходом – тиристорная оптопара с симметричным диодным
или триодным фототиристором.
Светоизлучающий диод (Lichtemitterdiode (LED), Light-emitting diode (LED)) –
полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в
результате рекомбинации электронов и дырок.
Полупроводниковый экран (Semiconductor analog indicator) –
полупроводниковый прибор, состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных
вдоль одной линии и содержащий n строк светоизлучающих диодов, предназначенный
для использования в устройствах отображения аналоговой и цифровой информации.
Инфракрасный излучающий диод (Infrarotemitterdiode (IRED), Infra-red-emitting
diode) – полупроводниковый диод, излучающий энергию в инфракрасном
диапазоне спектра в результате рекомбинации электронов и дырок.
Фотодиод – ГОСТ 21934-83
Фототранзистор
Фоторезистор
Фототиристор –
тиристор, в котором используется фотоэлектрический эффект.
Оптоэлектронный коммутатор аналогового сигнала – оптоэлектронный полупроводниковый прибор,
состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации аналогового
сигнала на выходе.
Оптоэлектронный коммутатор нагрузки – оптоэлектронный полупроводниковый прибор,
состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой коммутации тока на
выходе.
Оптоэлектронный коммутатор постоянного тока – оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой
коммутации по цепям постоянного тока.
Оптоэлектронный коммутатор переменного тока – оптоэлектронный коммутатор нагрузки со схемой
коммутации по цепям переменного тока.
Оптоэлектронный переключатель логических сигналов – оптоэлектронный полупроводниковый прибор,
состоящий из излучателя и приемника излучения со схемой логического ключа на
выходе.
Линейный оптоэлектронный полупроводниковый прибор – оптоэлектронный полупроводниковый прибор,
состоящий из дифференциальной оптопары или двух диодных оптопар и
предназначенный для преобразования сигналов, изменяющихся по закону непрерывной
функции.
Октрон –
оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между
излучателем и приемником излучения осуществляется по открытому оптическому
каналу.
Отражательный октрон – октрон, в котором приемник излучения принимает световой поток,
отраженный от излучателя.
Щелевой октрон –
октрон, в котором между излучателем и приемником излучения для управления
световым потоком устанавливают светонепроницаемую заслонку.
Волстрон –
оптоэлектронный полупроводниковый прибор, в котором оптическая связь между
излучателем и приемником излучения осуществляется по протяженному оптическому
каналу.
Примечание.
Излучатель и приемник излучения могут иметь схемы электронного обрамления.
Оптопреобразователь – оптоэлектронный полупроводниковый прибор с одним или
несколькими p-n переходами, работающий в режиме передачи и (или)
приема оптического излучения.
Линейка оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совокупность оптоэлектронных полупроводниковых
приборов, расположенных с заданным шагом на одной линии.
Матрица оптоэлектронных полупроводниковых приборов – совокупность оптоэлектронных полупроводниковых
приборов, сгруппированных по строкам и столбцам.
Элементы конструкции
Вывод полупроводникового прибора (Anschluss eines Halbleiterbauelementes, Terminal of
a semiconductor device) – элемент конструкции корпуса полупроводникового
прибора, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней
электрической цепью.
Основной вывод полупроводникового прибора (Basisanschluss eines Halbleiterbauelementes, Main
terminal) – вывод, через который протекает основной ток.
Катодный вывод полупроводникового прибора (Katodenanschluss eines Halbleiterbauelementes,
Cathode terminal of a semiconductor device) - вывод, от которого прямой ток
течет во внешнюю электрическую цепь.
Анодный вывод полупроводникового прибора (Anodenanschluss eines Halbleiterbauelementes, Anode
terminal of a semiconductor device) – вывод, к которому прямой ток течет
из внешней электрической цепи.
Управляющий вывод полупроводникового прибора (Gate terminal of a semiconductor device) – вывод,
через который течет, только ток управления.
Корпус полупроводникового прибора (Gehause eines Halbleiterbauelementes, Package of a
semiconductor device) – часть конструкции полупроводникового прибора,
предназначенная для защиты от воздействия окружающей среды, а также для
присоединения прибора к внешним схемам с помощью выводов.
Бескорпусный полупроводниковый прибор (Gehauseloses Halbleiterbauelement, Beam lead
semiconductor device) – полупроводниковый прибор, защищенный корпусом и
предназначенный для использования в гибридных интегральных микросхемах,
герметизируемых блоках и аппаратуре.
Полупроводниковый излучающий элемент – часть полупроводникового прибора отображения
информация, состоящая из излучающей поверхности и контактов для подключения к
электрической схеме.
Электрод полупроводникового прибора (Electrode of a semiconductor device) – часть
полупроводникового прибора, обеспечивающая электрический контакт между
определенной областью полупроводникового прибора и выводом.
|