Реферат: Приборы полупроводниковые

                Прямое направление для p‑n перехода (Durchlassrichtung des pn‑Uberganges, Forward direction of a P‑N junction) – направление приложения напряжения, при котором происходит понижение потенциального барьера в p‑n переходе. Направление постоянного тока, в котором p-n переход имеет наименьшее сопротивление.

Обратное направление для p-n перехода (Sperrichtung des pn-Uberganges, Reverse direction of а P-N junction) – направление приложения напряжения, при котором происходит повышение потенциального барьера в p-n переходе. Направление постоянного тока, в котором p-n переход имеет наибольшее сопротивление.

Пробой p-n перехода (Durchbruch des pn-Uberganges, Breakdown оf a P-N junction) – явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p-n перехода при достижения обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения. (Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя).

Электрический пробой p-n перехода (Elektrischer Durchbruch des pn-Uberganges, P-N junction eltctrical breakdown) – пробой p-n перехода, обусловленный лавинным размножением носителей заряда или туннельным эффектом.

Лавинный пробой p-n перехода (Lawinendurchbruch des pn-Uberganges,  P‑N junction avalanche breakdown) – электрический пробой p-n перехода, вызванный лавинным размножением носителей заряда под действием сильного электрического поля.

Туннельный пробой p-n перехода (Tunneldurchbruch des рn-Uberganges, Zenner (tunnel) breakdown) – электрический пробой p-n перехода, вызванный туннельным эффектом.

Тепловой пробой p-n перехода (Thermischer Durchbruch des pn-Uberganges, P‑N junction thermal breakdown) – пробой p-n перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в p-n переходе и отводимым от него теплом.

Модуляция толщины базы (Modulation der Basisbreite, Base thickness modulation) – изменение толщины базовой области, вызванное изменением толщины запирающего слоя при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу.

Эффект смыкания ("прокол базы", Durchgreifeffekt, punch-through) – смыкание обедненного слоя коллекторного перехода в результате его расширения на  всю толщину базовой области с обедненным слоем эмиттерного перехода.

Накопление неравновесных носителей заряда в базе (Speicherung von Uberschussladungstragern in der Basis, Minority carrier storage in the base) – увеличение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате увеличения инжекции или в результате генерации носителей заряда.

Рассасывание неравновесных носителей заряда в базе (Abbau von Uberschussladungstragern in der Basis,  Excess carrier resorption in the base) – уменьшение концентрации и величины зарядов, образованных неравновесными носителями заряда в базе в результате уменьшения инжекции или в результате рекомбинации.

Восстановление прямого сопротивления полупроводникового диода (Einschwingen des Durchlasswiderstandes einer Halblelterdiode, Forward recovery) – переходный процесс, в течение которого прямое сопротивление перехода полупроводникового диода устанавливается до постоянного значения после быстрого включения перехода в прямом направлении.

Восстановление обратного сопротивления диода (Wiederherstellung des Sperrwiderstandes einer Halbleiterdiode,  Reverse recovery) – переходный процесс, в течение которого обратное сопротивление перехода полупроводникового диода восстанавливается до постоянного значения после быстрого переключения перехода с прямого направления на обратное.

Под словом "быстрый" понимается изменение тока или напряжения за время, сравнимое или меньшее постоянной времени переходного процесса установления или восстановления сопротивления.

Закрытое состояние тиристора (Blockierzustand eies Thyristors, Off-state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее участку прямой ветви вольтамперной характеристики между нулевой точкой и точкой переключения.

Открытое состояние тиристора  (Durchlasszustand eines Thyristors,  On-state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее низковольтному и низкоомному участку прямой ветви вольтамперной характеристики.

Непроводящее состояние тиристора в обратном направлении (Sperrzustand eines Thyristors, Reverse blocking state of a thyristor) – состояние тиристора, соответствующее участку вольтамперной характеристики при обратных токах, по значению меньших тока при обратном напряжении пробоя.

Переключение тиристора (Umschalten eines Thyristors, Switching of a thyristors) – переход тиристора из закрытого состояния в открытое при отсутствии тока управления на выводе управляющего электрода.

Включение тиристора (Zunden eines Thyristors, Gate triggering of a thyristor) – переход тиристора из закрытого состояния в открытое при подаче тока управления.

Выключение тиристора (Ausschalten eines Thyristors, Gate turning-off of a thyristor) – переход тиристора из открытого состояния в закрытое при приложении обратного напряжения, уменьшении прямого тока или при подаче тока управления.

Виды полупроводниковых приборов

Полупроводниковый прибор (Halbleiterbauelement, Semiconductor device) – прибор, действие которого основано на использовании свойств полупроводника.

Силовой полупроводниковый прибор (Halbleiterleistungsbauelement, Semiconductor power device) – полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств.

Полупроводниковый блок (Semiconductor assembly) – совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов.

Набор полупроводниковых приборов (Semiconductor assembly set) – совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам.

Полупроводниковый диод (Halbleiterdiode, Semiconductor diode) – полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами.

Точечный полупроводниковый диод (Halbleiterspitzendiode, Point contact diode) – полупроводниковый диод с точечным переходом.

Плоскостной полупроводниковый диод (Halbleiterflachendiode, Junction diode) – полупроводниковый диод с плоскостным переходом.

Выпрямительный полупроводниковый диод (Halbleiterleichrichterdiode, Semiconductor rectifier diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.

Лавинный выпрямительный диод (Avalanche rectifier diode) – выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольтамперной характеристики.

Выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем (Controlled-avalanche rectifier diode) – выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя обратной ветви вольтамперной характеристики.

Выпрямительный полупроводниковый столб (Semiconductor rectifier stack) – совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода.

Выпрямительный полупроводниковый блок (Semiconductor rectifier assembly) – полупроводниковый блок, собранный из выпрямительных полупроводниковых диодов.

Импульсный полупроводниковый диод (Halbleiterimpulsdiode, Signal diode) – полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

Полупроводниковый диод с резким восстановлением обратного сопротивления (Ladungsspeicherdiode, Snap-off (step-recovery) diode) – полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого восстановления обратного сопротивления, который используют для целей умножения частоты и формирования импульсов с малым временем нарастания.

Диод с накоплением заряда (Snap-off (step recovery) diode) – импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения, который используется для формирования импульсов с малым временем нарастания.

Туннельный полупроводниковый диод (Halbleitertunneldiode, Tunnel diode) – полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольтамперной характеристике при прямом направлении участка отрицательной дифференциальной проводимости.

Обращенный полупроводниковый диод (Halbleiterunitunneldiode, Unitunnel (backward) diode) – полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.

Страницы: 1, 2, 3, 4