Реферат: Приборы полупроводниковые
Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод (UHF-Halbleiterdiode, Microwave diode) –
полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки
сверхвысокочастотного сигнала.
Лавинно-пролетный полупроводниковый диод (Halbleiterlawinenlaufzeitdiode,
Impact avalanche-(and-) transit time diode) – полупроводниковый диод,
работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном
смещении электрического перехода и предназначенный для генерации
сверхвысокочастотных колебаний.
Инжекционно-пролетный полупроводниковый диод (Halbleiterinjektionslaufzeitdiode, Injection (and-)
transit time diode) – полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции
носителей заряда в область запорного слоя и предназначенный для генерации сверхвысокочастотных
колебаний.
Переключательный полупроводниковый диод (Halbleiterschaltdiode, Switching diode) –
полупроводниковый диод, имеющий на частоте сигнала низкое сопротивление при
прямом смещении и высокое сопротивление – при обратном, предназначенный
для управления уровнем мощности сигнала.
Смесительный полупроводниковый диод (Halbleitermischdiode, Semiconductor mixer
diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования
высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты.
Диод Ганна
(Gunn-Element, Gunn diode) – полупроводниковый диод, действие которого
основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием
сильного электрического поля, предназначенный для генерирования и усиления
сверхвысокочастотных колебаний.
Коммутационный полупроводниковый диод (Halbleiter-HF-Schaltdiode) – полупроводниковый
диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей.
Регулируемый резистивный полупроводниковый диод (PIN‑Diode, PIN diode) –
полупроводниковый p‑i‑n диод, применяемый для регулирования
сопротивления в тракте передачи сигнала, активное сопротивление которого для
высокочастотного сигнала определяется постоянным током прямого смещения.
Детекторный полупроводниковый диод (Halbleiterdemodulatordiode, Detector diode) –
полупроводниковый диод предназначенный для детектирования сигнала.
Ограничительный полупроводниковый диод (Halbleiterbegrenzerdiode, Microwave
limiting diode) – полупроводниковый диод с лавинным пробоем,
предназначенный для ограничения импульсов напряжения.
Умножительный полупроводниковый диод (Halbleitervervielfacherdiode, Semiconductor
frequency multiplication diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для
умножения частоты.
Модуляторный полупроводниковый диод (Halbleitermodulatordiode, Semiconductor
modulator diode) – полупроводниковый диод, предназначенный для
модуляции высокочастотного сигнала.
Диод Шоттки
(Schottky-Diode, Schottky (-barrier) diode) –
полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на
взаимодействии металла и обедненного слоя полупроводника.
Варикап
(Kapazitatsdiode, variable capacitance diode) – полупроводниковый диод,
действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного
напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с
электрически управляемой емкостью.
Параметрический полупроводниковый диод (Параметрический диод, Halbleitervaraktordiode,
Semiconductor parametric diode) – варикап, предназначенный для применения в диапазоне
сверхвысоких частот в параметрических усилителях.
Полупроводниковый стабилитрон (Стабилитрон, Ндп. Зенеровский диод,
Kalbleiter-Z-Diode, Voltage reference diode) – полупроводниковый диод,
напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через
него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения.
Полупроводниковый шумовой диод (Halbleiterrauschdiode, Semiconductor noise
diode) – полупроводниковый прибор являющийся источником шума с заданной
спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.
Биполярный транзистор (Транзистор, Bipolarer Transistor, Bipolar
transistor) – полупроводниковый прибор с двумя взаимодействуюшими
переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого
обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
Примечание.
Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.
Бездрейфовый транзистор (Ндп. Диффузионный транзистор, Diffusionstransistor,
Diffusion transistor) –
биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через
базовую область осуществляется в основном посредством диффузии.
Дрейфовый транзистор (Drifttransistor, Drif (diffased) transistor) –
биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через
базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа.
Точечный транзистор (Ндп. Точечно-контактный триод, Spitzentransistor, Point contact
transistor) – биполярный транзистор с точечными переходами.
Плоскостной транзистор (Flachentransistor, Junction transistor) –
биполярный транзистор с плоскостными переходами.
Лавинный транзистор (Lawinentransistor, Avalanche transistor) –
биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима
лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.
Полевой транзистор (Ндп. Канальный транзистор, Feldeffekttransistor (FET), Field-effect
transistor) – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого
обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и
управляемый электрическим полем.
Примечание.
Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.
Полевой транзистор с изолированным затвором (Feldeffekttranastor mit isoliertelem Gate,
Insulated-gate FET) – полевой транзистор, имеющий один или несколько
затворов, электрически изолированных от проводящего канала.
Полевой транзистор типа
металл-диэлектрик-полупроводник
(МДП-транзистор, MIS-Feldeffekttransistor (MIS-FET), MIS-transistor) –
полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного
слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется
диэлектрик.
Полевой транзистор типа металл-окисел-полупроводник (МОП-транзистор, MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET),
MOS-transistor) – полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в
качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим
каналом используется окисел.
Симметричный транзистор (Bidirektionaltransistor,
Bi-directional transistor) – биполярный или полевой
транзистор сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в
схеме: включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.
Тиристор
(Thyristor, Thyristor) –
полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более
перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и
наоборот.
Диодный тиристор (Динистор, Thyristordiode, Diode thyristor) –
тиристор, имеющий два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой
структуры.
Диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении (Ruckwarts sperrende Тhyristordiode, Reverse
blockings diode thyristor) – диодный тиристор, который при отрицательном
анодном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем
состоянии.
Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende
Thyristordiode, Reverse conducting diode thyristor) – диодный
тиристор, который при отрицательном анодном напряжения не переключается, а
проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым
напряжением в открытом состоянии.
Симметричный диодный тиристор (Диак, Zweirichtungsthyristordiode, Bi-directional
diode thyristor) – диодный тиристор, способный переключаться как в прямом,
так и в обратном направлениях.
Триодный тиристор (Тринистор, Thristordiode, Triode thyristor) – тиристор, имеющий
два вывода от анодной и катодной областей полупроводниковой структуры и один
вывод от управляющей.
Триодный тиристор, не проводящий в обратном
направлении (Ruckwart sperrende
Thyristortriode, Reverse blocking triode thyristor) – триодный тиристор,
который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а находится в
обратном непроводящем состоянии.
Примечание.
Для триодных тиристоров, не проводящих в обратном направлении, допускается
применять термин «тиристор», если исключается возможность другого толкования.
Триодный
тиристор, проводящий в обратном направлении (Ruckwarts leitende
Thyristortriode, Reverse conducting triode
thyristor) – триодный тиристор, который при отрицательном анодном
напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых
по значению с прямим напряжением в открытом состоянии.
Симметричный триодный тиристор (Триак, Zweirichtllngsthmstortrio, Bi-directional triode
thyristor Triac) – триодный тиристор, который при подаче сигнала на его
управляющий электрод включается как в прямом, так и в обратном направлениях.
Запираемый
тиристор (Abschaltbarer Thyristor, Turm-off thyristor) – тиристор,
который может быть переключен из открытого состояния в закрытое и наоборот при
подаче на управляющий электрод управляющих сигналов соответствующей полярности.
Тиристор с инжентирующим управляющим электродом p-типа (Anodenseitig gesteuerter Thyristor, Р-gate
thyristor) – тиристор, у которого вывод управляющего электрода соединен с
p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в
открытое состояние при подаче на управляющий электрод положительного, по
отношению к катоду сигнала.
Страницы: 1, 2, 3, 4 |