Дипломная работа: Мобільний термінал охоронної системи для автомобіля
7.4.
Гарантійний поясок:
На зовнішньому
шарі: bз=0,2
мм
На внутрішньому
шарі: bвн=0,1
мм
7.5.
Допуск на отвори без металізації:
При діаметрі d
≤1мм Δd=±0,05мм.
При d
>1мм Δd=±0,1мм.
7.6.
Допуск на отвори з металізацією:
При діаметрі d
≤1мм Δd мм.
При d
>1мм Δd мм.
7.7.
Допуск на ширину провідника:
без покриття: Δt=±0,05мм.
з покриттям: Δt=±0,1мм.
7.8.
Допуск на розміщення осей
отворів:
Тд=
0,03мм.
7.9.
Допуск на розміщення центрів контактних
площадок:
ТD=
0,15мм.
7.10. Допуск
на розміщення друкованих провідників:
Tl=0,05мм.
7.11.
Допуск на підтравку діелектрика в отворі
для ДДП:
 =0 мм.
Друкований
рисунок плати виготовляється комбінованим негативним ме тодом. Трасування
провідного шару друкованого вузла здійснена засобами программного пакета
автоматизованого проектування P-CAD [31]. P-CAD —
система автоматизованого проектування електроніки (EDA [29])
виробництва компанії Altium. Призначена для проектування багатошарових друкованих
плат обчислювальних та радіоелектронних пристроїв. Використання САПР при проектуванні
дозволяє збільшити ефективність, зручність та швидкість процесу проектування
складних радіоелектронних вузлів у складі пристроїв з великим ступенем
інтеграції.
4.3.4.1
Розрахунок мінімального діаметру контактної площадки
навколо монтажного отвору
Більшість
застосованих радіоелементів відносяться до типу SMD
(поверхневий монтаж), тому необхідно розрахувати лише невелику
кількість контактних площадок, які мають монтажний отвір. До компонентів,
виводи яких монтуються в отвори, відносяться мікросхеми у DIP
корпусах, конденсатори,
діоди та світлодіоди.
У таблиці 4.2.
наведені характеристики використаних у схемі мобільного терміналу
радіокомпонентів.
Таблиця 4.2. Фізичні характеристики
радіоелементів
|
Назва компонент
|
Габаритні розміри,
ДхШ/діаметр, мм |
Розміри контактних площадок:
ДхШ/діаметр, мм |
Вага, г |
|
Конденсатори
|
|
|
|
| В корпусі типу А |
3.2х1.6 |
1,2х0,8 |
0,02 |
| Типорозміру 0805 |
2х1.2 |
3х1,5 |
0,001 |
| В корпусі типу Е |
7.3х4.3 |
7.3х2.4 |
0,03 |
| В корпусі типу D |
7.3х4.3 |
7.3х2.4 |
0,03 |
|
Запобіжник
|
|
|
|
| MF-RX375 |
23.51x3.1 |
Ø0,5 |
0,3 |
|
Мікросхеми
|
|
|
|
| LEA-4H |
22x17 |
1,5х1,2 |
2,1 |
| MAX4043EUD |
3.15x3.099 |
0,699х0,27 |
0,3 |
| MAX1692EUD |
3.15x3.099 |
0,66х0,36 |
0,3 |
| TLP627-4 |
9.66x7.62 |
Ø 0,5 |
0,26 |
| L6902D |
4.8x3.8 |
0,48х1,27 |
0,3 |
| MAX494MJA |
3.05x3.05 |
0,66х0,36 |
0,3 |
| GC864-PY |
36x30 |
1,5х1 |
6,1 |
| CD4052BCM |
19.94x7.87 |
Ø 0,46 |
0,5 |
| MSP430F1611 |
10.20x10.20 |
0,27х0,75 |
1,2 |
| AT45DB642 |
18.4x10 |
0,7х0,27 |
1,8 |
|
Індуктивності
|
|
|
|
| LQH43CN100C01-10
мГн-1812 |
4.5x3.2 |
3,5х3 |
0,1 |
| LQH43CN220C01-22
мГн-1812 |
4.5x3.2 |
3,5х3 |
0,1 |
|
Резистори
|
|
|
|
| Типорозміру 0805 |
2х1.2 |
3х1,5 |
0,001 |
| Типорозміру 1206 |
2х1.2 |
3,5х1,8 |
0,0013 |
| PV38Z-0,5-22 кОм±10% |
9.53x4.95 |
Ø 1 |
1,13 |
|
Діоди
|
|
|
|
| BAV99 |
3x1.4 |
0,48х0,45 |
0,01 |
| 1N4148 |
4.2x2 |
0,0559 |
0,25 |
| BZX-37-B3V0 |
3x1.4 |
0,48х0,45 |
0,01 |
| 10BQ100N |
4.57x3.94 |
2,21х1,52 |
0,013 |
| SMBJ39Q |
4.57x3.94 |
2,26х2,16 |
0,093 |
| 30BQ060 |
7.11x6.22 |
3,15х1,52 |
0,24 |
| 3R4SC-B |
5.9 |
Ø 0,5 |
0,1 |
| 3G4SC-B |
5.9 |
Ø 0,5 |
0,1 |
| 3Y4SC-B |
5.9 |
Ø 0,5 |
0,1 |
|
Транзистори
|
|
|
|
| IRF7503 |
3.05x3.05 |
0,66х0,36 |
0,3 |
| IRF7307 |
3.05x3.05 |
0,66х0,36 |
0,3 |
| BC847B |
3x1.4 |
0,48х0,45 |
0,01 |
|
Роз’ємні
з’єднання
|
|
|
|
| MICRO-FIT-2P |
3.85x16.89 |
Ø 1,2 |
2 |
| MICRO-FIT -8P |
12.85x16.89 |
Ø 1,2 |
3,5 |
| MICRO-FIT -20P |
30.85x16.89 |
Ø 1,2 |
5 |
| MICRO-FIT -10P |
15.85x16.89 |
Ø 1,2 |
4,3 |
| MICRO-FIT -6P |
9.85x16.89 |
Ø 1,2 |
3 |
| WH2-2 |
5.9x2 |
Ø 0,5 |
2 |
| SMA-5010-94 |
7x6 |
1,5х1 |
7 |
| SIM 91228.0001 |
31x25 |
0,8х1 |
1,22 |
|
Кварцовий резонатор
|
|
|
|
| SMU3-3,6768 МГц |
10.1x4.8 |
5,5х2 |
0,8 |
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27 |
