Дипломная работа: Мобільний термінал охоронної системи для автомобіля
UВИХ.дБ=(-45)+(-4,7)=-49,7
(дБ·В),
що
відповідає
UВИХ=10(-49,7/20)=3,3
(мВ)
Щоб
забезпечити сигнал з амплітудою 50 мВ на вході наступного каскаду підсилювач
повинен мати коефіцієнт підсилення:

Відповідно при підсиленні в 15
разів (24 дБ). При вхідному опорі розрахованого підсилювача в 10 кОм необхідний
опір R4
буде
дорівнювати:
R4=КПІДС·R3=10·103·15=150·103(Ом)
Промислові
значення цих опорів з ряду Е96 складають 10 кОм та 150 кОм.
Відповідно
значення ємності конденсатора С3:
(Ф);
З
огляду на необхідну смугу пропускання, обираємо найближче значення С3 з
ряду Е24 – 120 пФ.
Значення
для другого каналу підсилювача ідентичні першому.
4.2.2.1
Розрахунок перетворювача
на мікросхемі L6902D
Розрахуємо загальну потужність втрат PTOT
на мікросхемі L6902 за формулою.
Вихідні умови:
–
вхідна напруга UIN
= 12 В;
–
вихідна напруга UOUT
= 4,2 В;
–
вихідний струм IOUT
= 1 А рівний сумі струмів споживаних елементами схеми (табл. 3.1);
–
опір внутрішнього
ключа RDSON = 0,4 Ом (середнє значення);
–
час перемикання
типовий TSW = 70 нс;
–
струм споживаний
самою ІС IQ = 2,5 мА;

Отже теплові втрати становлять 0,52 Вт, визначимо тепер
температуру кристалу мікросхеми.
Вона становитиме:
,
де TJ
– температура кристалу мікросхеми, TА – температура
навколишнього середовища та Rth J-A тепловий опір
кристал-навколишнє середовище рівний 42 ˚C/Вт [32]. При температурі
навколишнього середовища 85 ˚C маємо наступну температуру кристалу:

Отже мікросхема перегріватись не буде, оскільки
допустима температура кристалу становить 150 ˚C [16].
Розрахуємо номінали резисторів зворотного зв’язку для
одержання вихідної напруги 4,2 В.
,
звідси випливає, що при рекомендованому R2 = 3,3 кОм R1
має рівнятись:

Але оскільки
такого опору немає ні в ряді стандартних значень Е96, ні навіть в Е192,
виберемо з Е48 найближче значення 7,87 кОм та перерахуємо значення для цього
опору:
,
що, загалом, цілком влаштовує нас по точності.
4.2.2.2
Розрахунок
перетворювача на мікросхемі МАХ1692
Розрахуємо загальну потужність втрат PTOT
на мікросхемі MAX1692.
Вихідні умови:
–
вхідна напруга UIN
= 4,2 В;
–
вихідна напруга UOUT =
3,15 В;
–
вихідний струм IOUT
= 0,1 А, рівний сумі струмів споживаних елементами схеми, (табл. 3.3);
–
опір внутрішнього
ключа RDSON = 0,6 Ом (середнє значення);
–
час перемикання
типовий TSW = 50 нс;
–
струм споживаний
самою ІС IQ =
85 мкА;

Отже теплові втрати становлять 0,024 Вт, визначимо тепер
температуру кристалу мікросхеми.
Вона становитиме:
,
де TJ
– температура кристалу мікросхеми, TА – температура
навколишнього середовища та Rth J-A тепловий опір
кристал-навколишнє середовище рівний 280 ˚C/Вт. При температурі
навколишнього середовища 85 ˚C маємо наступну температуру кристалу:

Отже мікросхема перегріватись не буде, оскільки
допустима температура кристалу становить 150 ˚C
Розрахуємо номінали резисторів зворотного зв’язку для
одержання вихідної напруги 3,15 В.
,
звідси випливає, що при рекомендованому R2 = 301 кОм R1
має дорівнювати:

Але оскільки такого опору немає ні в ряді стандартних
значень Е96, ні навіть в Е192, виберемо з Е192 найближче значення 470 кОм та
перерахуємо значення для цього опору:
,
що також влаштовує нас по точності [17].
4.3
Проектування друкованого вузла
Визначення площі монтажу
малогабаритних деталей
,
де –сумарна
площа, яку займають конденсатори; -
сумарна площа, яку займають діоди; -
сумарна площа, яку займають мікросхеми, -
сумарна площа, яку займають індуктивності; -
сумарна площа, яку займають резистори; -
сумарна площа, яку займають транзистори.
Визначення
площі монтажу середньогабаритних деталей
,
де –сумарна
площа, яку займають роз’єми; -
сумарна площа, яку займають діоди; -
сумарна площа, яку займають мікросхеми, -
площа, яку займає кварц; -
сумарна площа, яку займають резистори.
Визначення
площі монтажу великогабаритних деталей
,
де –сумарна
площа, яку займають роз’єми; -
сумарна площа, яку займають мікросхеми.
Розрахунок площі монтажної
поверхні.
,
де К –
коефіцієнт, який вибирається з інтервалу 1,5…3, в залежності від кількості
зв’язків.
ДП, що
виготовляється розробимо у двосторонньому виконанні. Таким чином забезпечимо
оптимальне розташування та режими роботи радіоелектронних компонентів різного
цільового призначення. Отже, розділимо у просторі ВЧ модулі, джерела живлення,
вузли ядра системи керування терміналом, забезпечивши оптимальні режими роботи
з точки зору виділення теплової енергії, взаємного впливу наводок та
оптимального трасування з’єднувальних провідників.
Вибір габаритних
розмірів друкованої плати для розроблюваного терміналу здійснюємо
використовуючи ряд стандартних лінійних розмірів за ГОСТ 10317-79 з урахуванням
розрахованої площі монтажної поверхні та оптимального розміщення компонентів
згідно їх призначення та вимог до монтажу.
Габаритні
розміри ДП повинні відповідати ГОСТ10317-79 і не перевищувати співвідношення
3:1. З конструкторських та естетичних міркувань вибираємо ДП прямокутної форми
та, керуючись рядом стандартних лінійних розмірів ДП, вибираємо плату з
розмірами Д×Ш, мм. - 124×65.
ДП з габаритними
розмірами 128×65 задовольняє вимогам ГОСТ 23752-88, який забороняє
застосовувати клас точності вищий, ніж 2-ий для плат більше 170×170. По
точності виготовлення для пристрою, що розроблюється, оберемо ДП ІII-го класу
точності. Такі плати прості в виконанні, надійні в експлуатації та мають
невисоку вартість. Вважається, що ДП третього класу точності має підвищену
густину рисунку (роздільна здатність – 3,33 лінії/мм).
4.3.3
Вибір матеріалів
В якості
матеріалу ДП використаємо склотекстоліт – шарований пресований матеріал
підвищеної теплостійкості, виготовлений зі склотканини просоченої
термореактивною смолою, яка має підвищений опір ізоляції. Заготівка має з обох
боків шар металізації – мідна електролітична оксидна фольга. Таке виконання ДП
забезпечить малу сприйнятливість конструкції до вібраційних навантажень та
дозволить запобігти небажаних деформацій плати.
Основні
конструктивні параметри матеріалу ДП:
1.
Вид плати: двостороння (ДДП);
2.
Матеріал: СФ1,5-35-30, ДСТ 10316-78;
3.
Товщина фольги: 35 мкм;
4.
Товщина матеріалу з фольгою: 1,5 мм;
5.
Діапазон робочих температур:
-60º..+120º С;
6.
Клас точності: 3;
7.
Допуски на ДДП за ГОСТ 23751-86:
7.1.
Номінальне значення ширини провідника: t=0,25
мм;
7.2.
Номінальна відстань між провідниками:
S=0,25
мм.
7.3.
Відношення діаметра отвору до товщини
плати не менше 0,33
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27 |