Курсовая работа: Разработка конструкции, топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы усиления тока индикации кассового аппарата

Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом

Структура биполярного транзистора микросхемы рассмотрена на рис.15. Схема технологического процесса представлена в графической части (лист – 3).

Рис.15. Упрощенная структура кристалла

Заключение

В данной работе произведен анализ функционирования ИМС, рассчитаны элементы схемы и разработаны топология кристалла и конструкция микросхемы, что позволяет изготовить рабочие фотошаблоны.

Разработан технологический процесс изготовления кристалла. При разработке технологического процесса большое внимание обращалось на безопасность труда и уменьшение влияния техпроцессов на окружающую среду.

Список литературы

Коледов Л.А. - Конструирование и технология микросхем.М.: Высшая школа, 1984.

А.В. Нефедов, В.И. Гордеева – Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналогии, М.: Радио и связь, 1990.

Пономарев М.Ф. « Конструкция и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА» М: Радио и связь, 1982г.

Агахонян Г.М. « Интегральные микросхемы » М: Энергоатомиздат, 1983г.

Коледов Л.А. «Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок» М: Радио и связь, 1989г.