2. Нумерация выводов на
кристалле может начинаться с любого угла и должна идти по порядку (по часовой
стрелке).
3. В случае пересечения –
выполнять его над резистором, кроме проводников питания, которые над резистором
выполнять не рекомендуется.
А |
005 |
Комплектование |
Б |
|
Комплектовочный стол |
О |
|
Формировать партию пластин.
Уложить в тару цеховую.
|
А |
010 |
Гидромеханическая отмывка пластин |
Б |
|
Ванна с раствором ситанола АЛМ-10 |
О |
|
Операция выполняется в растворе ситанола АЛМ-10 в деионизированной воде
с помощью щеток для удаления механических загрязнений и увеличения
смачиваемости поверхности пластин. |
А |
015 |
Химическая обработка |
Б |
|
Оборудование — линия “Лада-125” |
О |
|
Обработка пластин смесью Каро (H2SO4+H2O2) и перикисьно-амиачной смесью
для удаления любых органических загрязнений с поверхности полупроводниковых
пластин при температуре 90 ºС. |
А |
020 |
Сушка |
Б |
|
Сушильный шкаф |
О |
|
Операция проводится сначала в парах этилового спирта, а затем в потоке
горячего осушенного азота в центрифуге при частоте обращения 20000 оборотов в
минуту. |
А |
025 |
Окисление |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
Окисление проводится в два этапа:
- газовая полировка(проводится в специальных печах);
устанавливается нужное распределение температуры и печи с потоком
азота;
устанавливается поток газа-носителя (водород, 8 л/мин; печь с
внутренним диаметром трубы 35 мм), а поток азота перекрывается;
вносят лодочку с пластинами и выжидают 5 мин до установления теплового
равновесия;
к газу-носителю добавляют требуемый поток хлористого водорода;
полируют в течение 10 мин (обычная продолжительность полировки);
прекращают поток НСl и вынимают пластины.
Скорость полировки зависит от температуры и концентрации хлористого
водорода. Удельное сопротивление, тип проводимости и поверхностная обработка
кремния не оказывают заметного влияния на скорость полировки.
Качество полировки связано с чистотой хлористого водорода. В
выпускаемом промышленностью хлористом водороде иногда присутствует ацетилен;
это нежелательно, поскольку приводит к образованию матовых поверхностей.
Нежелательным является также наличие двуокиси углерода и воды.
- Окисление
От газовой полировки можно переходить сразу к процессу
окисления простым изменением состава газового потока. При этом не
требуется вынимать пластины из печи. Для быстрого получения
качественной плёнки, окисление производят сначала в сухом кислороде для
формирования пленки, затем длительно окисляют во влажном кислороде и
окончательной стадией является формовка окисла в сухом кислороде.
|
А |
030 |
Первая фотолитография |
Б |
|
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” |
О |
|
С использованием фотолитографии проводится легирование локальных
областей подложки с целью создания скрытых слоёв
Нанесение фоторезиста дискретное.
Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности
полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией
используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.
Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.
Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой
фоторезиста.
Проявление и термообработка фотослоя.
Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль,
с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя.
Последующая термообработка проводится в два этапа:
1-й этап: 30 минут при температуре 90ºС.
2-й этап: 60 минут при температуре 150ºС
Контроль горизонтальных размеров рисунка.
Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.
Контроль фотолитографии.
Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к
маске.
|
А |
035 |
Диффузия бором, I стадия |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
При диффузии в качестве источника диффузанта используется ВВrз.
Диффузия проводится в две стадии. Первый этап двухстадийной диффузии, для создания
поверхностного слоя легирующей примеси повышенной концентрации – источника примеси
для второго этапа. Проводится при температуре 960ºС в течение 40 мин. |
А |
040 |
Снятие боросиликатного стекла |
Б |
|
Установка “08 ПХО 100Т-001” |
О |
|
С поверхности кремния удаляется боросиликатное стекло mВ2О3nSiO2. Для
травления используется плавиковая кислота HF. |
А |
045 |
Диффузия бором, II стадия |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
Разгонка бора и формирование области скрытого слоя. Боковая диффузия
составляет 5,2 мкм. Общее увеличение размера рисунка на пластине относительно
фотошаблона ∆l=6 мкм. Для разгонки примеси пластины подвергают
высокотемпературному нагреву, которым одновременно осуществляется и отжиг. Во
время разгонки происходит окисление кремния. |
А |
050 |
Эпитаксия |
Б |
|
Установка эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки
подложек – ЕТМ 150/200-0,1 |
О |
|
Наращивание на поверхность пластины эпитаксиальной плёнки n-типа
толщиной 9 мкм. |
А |
055 |
Окисление |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
Операция проводится в потоке хлороводорода для получения пленки
двуокиси кремния на поверхности полупроводниковых пластин, которая будет
использоваться в качестве маски в процессе диффузии. Толщина получаемого
окисла 0,8 мкм.
На ней в процессе второй фотолитографии формируется защитная маска под
локальную (разделительную) диффузию бора с целью создания изолирующих
областей р-типа. Окисление проводится в потоке кислорода с изменением его
влажности в три этапа: сухой — влажный — сухой.
|
А |
060 |
Вторая фотолитография |
Б |
|
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” |
О |
|
Получение рисунка изолирующих областей.
Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.
Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности
пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.
Нанесение фоторезиста дискретное.
Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности
полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией
используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.
Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.
Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой
фоторезиста.
Проявление и термообработка фотослоя.
Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль,
с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя.
Последующая термообработка проводится в два этапа:
1-й этап: 30 минут при температуре 90ºС.
2-й этап: 60 минут при температуре 150ºС
Контроль горизонтальных размеров рисунка.
Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.
Контроль фотолитографии.
Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к
маске.
|
А |
065 |
Разделительная диффузия бором, I стадия |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
В качестве источника диффузанта используется ВВr3. Диффузия проводится
в две стадии.
Первый этап двухстадийной диффузии предназначен для создания
поверхностного слоя легирующей примеси повышенной концентрации – источника
примеси для второго этапа. Проводится при температуре 940ºС в течение 35
мин.
|
А |
070 |
Снятие боросиликатного стекла |
Б |
|
Установка “08 ПХО 100Т-001” |
О |
|
С поверхности кремния удаляется боросиликатное стекло mВ2О3nSiO2. Для
травления используется плавиковая кислота HF. |
А |
075 |
Разделительная диффузия бором, II стадия |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
В процессе второй стадии диффузии, проводимой, в отличие от первой, в
окислительной среде, создается новая пленка SiO2, выполняющая в дальнейшем не
только маскирующие, но и защитные функции. После разделительной диффузии
образуются диффузионные слои р-типа с сопротивлением 2 ... 12 Ом/□. Второй
этап двухстадийной диффузии – перераспределение примеси на определенную глубину
(формирование области разделения). Проводится при температуре 1050ºС с одновременным
термическим оксидированием в течение 24 мин. |
А |
080 |
Третья фотолитография |
Б |
|
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” |
О |
|
Аналогично операции 060.
Используется набор фотошаблонов для получения рисунка базовых областей
n-p-n транзисторов, конденсаторов и р-кармана для изготовления резисторов
(без снятия ф/р). Увеличение размера на пластине относительно фотошаблона ∆l=0,6
мкм.
Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.
Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности
пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.
Нанесение фоторезиста дискретное.
Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых
пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста
ФП-383 на установке нанесения НВ-100.
Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.
Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.
Проявление и термообработка фотослоя.
Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль,
с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя.
Последующая термообработка проводится в два этапа:
1-й этап: 30 минут при температуре 90ºС.
2-й этап: 60 минут при температуре 150ºС
Контроль горизонтальных размеров рисунка.
Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.
Травление двуокиси кремния.
Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной
имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7
Контроль фотолитографии.
Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске.
|
А |
085 |
Химическая обработка |
Б |
|
Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП |
О |
|
Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и
промывкой в деонизированной воде. |
А |
090 |
Диффузия бором, I стадия |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
Аналогично операции 065.
Для создания транзисторной структуры в качестве источников диффузантов
используются ВВг3 и РС13 (или РОС13). Диффузионный процесс получения базовой
области проводится также в две стадии.
На первой стадии создается сильно легированный тонкий слой р+-типа с
сопротивлением около 90 Ом/.
Температура 800ºС, время 52 мин.
|
А |
095 |
Снятие боросиликатного стекла |
Б |
|
Установка “08 ПХО 100Т-001” |
О |
|
На этой стадии для удаления боросиликатного стекла используется
химическое травление в растворе следующего состава: 10 частей HNO3, 15 частей
HF и 300 частей Н2О. Этот раствор с высокой скоростью травит боросиликатное и
фосфоросиликатное стекла, практически не разрушая SiO2. |
А |
100 |
Диффузия бором, II стадия |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
Вторая стадия диффузии, в процессе которой толщина слоя увеличивается
до 1,8... 2,2 мкм, а его удельное сопротивление (в результате
перераспределения бора) повышается до 170... 330 Ом/. Поскольку вторая стадия проводится в окислительной среде,
на поверхности кремния образуется пленка SiO2 толщиной около 0,4 мкм.
Температура 1000ºС, время 255 мин. |
А |
105 |
Четвертая фотолитография |
Б |
|
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” |
О |
|
Аналогично операции 060.
Используется набор фотошаблонов для получения рисунка эмиттерных
областей транзисторов, а также областей n+ конденсаторов. На ее основе
формируется маска для проведения локальной диффузии при создании эмиттерной
области. Толщина диффузионного эмиттерного сдоя 1,0...1,4 мкм, удельное
сопротивление слоя 3 ... 5 Ом/.
Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.
Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности
пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.
Нанесение фоторезиста дискретное.
Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых
пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста
ФП-383 на установке нанесения НВ-100.
Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.
Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.
Проявление и термообработка фотослоя.
Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль,
с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя.
Последующая термообработка проводится в два этапа:
1-й этап: 30 минут при температуре 90ºС.
2-й этап: 60 минут при температуре 150ºС
Контроль горизонтальных размеров рисунка.
Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.
Травление двуокиси кремния.
Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной
имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7
Контроль фотолитографии.
Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске.
|
А |
110 |
Химическая обработка |
Б |
|
Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП |
О |
|
Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и
промывкой в деионизированной воде. |
А |
115 |
Диффузия фосфором, I стадия |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
Аналогично операции 065.
Для создания транзисторной структуры в качестве источников диффузантов
используется РС13. Диффузионный процесс получения эммитерной области
проводится также в две стадии.
Первый этап двустадийной диффузии для создания поверхностного слоя повышенной
концентрации легирующей примеси – источника примеси для второго этапа. Проводится
при температуре 1050ºС в течение 20 мин.
|
А |
120 |
Диффузия фосфором, II стадия |
Б |
|
Диффузионная печь СДО-125/3-12 |
О |
|
Второй этап диффузии – «разгонка» фосфора. Проводится при температуре
1000ºС с одновременным термическим оксидированием в течение 22 мин. |
А |
125 |
Пятая фотолитография |
Б |
|
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” |
О |
|
Вскрытие контактных окон к соответствующим диффузионным областям.
Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.
Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности
пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.
Нанесение фоторезиста дискретное.
Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых
пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста
ФП-383 на установке нанесения НВ-100.
Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.
Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.
Проявление и термообработка фотослоя.
Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль,
с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя.
Последующая термообработка проводится в два этапа:
1-й этап: 30 минут при температуре 90ºС.
2-й этап: 60 минут при температуре 150ºС
Контроль горизонтальных размеров рисунка.
Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.
Травление двуокиси кремния.
Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной
имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7
Контроль фотолитографии.
Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске,
произвести по виду А.
|
А |
130 |
Химическая обработка |
Б |
|
Автомат химической обработки полупроводниковых пластин АФОП |
О |
|
Операция проводится кипячением в смеси NH4OH : H2О : H2О2 (1:1:1) и
промывкой в деионизированной воде. |
А |
135 |
Напыление алюминия |
Б |
|
Установка “Магна 2М” |
О |
|
Электрическая разводка создается напылением алюминия.
Проводится за счет приложения магнитного поля, с помощью Установки
“Магна 2М”. Толщина слоя алюминия 1,2±0,1 мкм.
|
А |
140 |
Шестая фотолитография |
Б |
|
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” |
О |
|
Фотолитография по пленке алюминия для создания рисунка разводки и
контактных площадок.
Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.
Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности
пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.
Нанесение фоторезиста дискретное.
Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности алюминия
полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого
фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.
Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.
Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.
Проявление и термообработка фотослоя.
Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль,
с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя.
Последующая термообработка проводится в два этапа:
1-й этап: 30 минут при температуре 90ºС.
2-й этап: 60 минут при температуре 150ºС
Контроль горизонтальных размеров рисунка.
Удаление фоторезиста в смеси органических кислот.
Травление алюминия.
Контроль фотолитографии.
Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске,
произвести по виду Б.
|
А |
145 |
Пассивация |
Б |
|
Вертикальный реактор с инфракрасным нагревателем установки осаждения
УО-15. |
О |
|
Осаждение низкотемпературной пленки двуокиси кремния на всю поверхность
полупроводниковой пластины. Операция проводится в среде азота при температуре
475ºС для растворения тонкой пленки двуокиси кремния. |
А |
150 |
Седьмая фотолитография |
Б |
|
Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125” |
О |
|
Фотолитография по пленке защитного диэлектрика для вскрытия окон к
контактным площадкам.
Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.
Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности
пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.
Нанесение фоторезиста дискретное.
Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности алюминия
полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого
фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.
Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.
Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.
Проявление и термообработка фотослоя.
Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль,
с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя.
Последующая термообработка проводится в два этапа:
1-й этап: 30 минут при температуре 90ºС.
2-й этап: 60 минут при температуре 150ºС
Контроль горизонтальных размеров рисунка.
Удаление фоторезиста в смеси органических кислот.
Травление пленки двуокиси кремния.
Контроль фотолитографии.
Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске,
произвести по виду А.
|
А |
155 |
Контроль электрических параметров микросхемы. |
Б |
|
Установки: система измерительная Н2001 (“Интеграл”); зонд измерительный
ОМ6010; |
О |
|
Настроить зонд по расположению контактных площадок на кристалле.
Провести контроль токов I5=15 мА, I13 =10 мА и напряжений U5=4±0,5 B,
U13=15±0,5 B на 5й и 13й контактных площадках соответственно.
В случае если параметры кристалла не соответствуют нормам, он
закапывается специальными магнитными чернилами.
|
А |
160 |
Скрайбирование |
Б |
|
Установка скрайбирования «ЭМ-210», микроскоп «ММУ-3», полуавтомат
«ПЛП-3». |
О |
|
Для разделения пластин на кристалы используется лазерное скрайбирование,
для данного метода необходим твердотельный лазер (оптический квантовый
генератор ОКГ) активный элемент которого, выполнен из алюминиевого граната с
примесью неодима (АИГ:Nd), а длина волны составляет 1,06 мкм.
На пластины наносят на центрифуге защитное покрытие для предохранения
структур от повреждения.
Пластины закрепляют вакуумным прижимом на столе установке
Проводят скрайбирование, Скорость скрайбирования в
пределах от 100 до 200 мм /сек. Скрайбирование целесообразно
производить на установке ЭМ-210, позволяющей скрайбировать пластины диаметром
100 мм и толщиной 460 мкм за 3 прохода при скорости скрайбирования 120 мм/сек
и глубине 100 мкм /проход
Контроль качества скрайбирования производится при помощи микроскопа
ММУ-3.
Осуществляют разламывание пластин на кристаллы, на полуавтомате ПЛП-3.
При этом необходимо соблюдать следующие режимы: сила нажатия на пластины
должна быть в пределах от 100 до 1500 Н, а скорость движения ленты с
пластиной порядка 40 мм/сек.
|
А |
165 |
Контроль |
Б |
|
Микроскоп «ММУ-3» |
О |
|
Контроль кристаллов производится при помощи микроскопа ММУ-3.
Кристаллы, закапанные магнитными чернилами удалить.
|
А |
170 |
Сборка |
Б |
|
Установка термокомпрессионной сварки «ЭМ-439М» |
О |
|
Кристалл крепить к ситалловой подложке клеем ВК-32-200.
Положку с кристаллом крепить к выводной рамке клеем ВК-32-200.
Разваривать выводы кристалла с помощью алюминиевой проволоки к выводной
рамке методом термокомпресии.
|
А |
175 |
Маркировка |
Б |
|
Маркировочный стол |
О |
|
Маркировать серийный номер микросхемы краской |