рефераты рефераты
Главная страница > Курсовая работа: Программно-аппаратный комплекс для тестирования интегральных микросхем 155 серии  
Курсовая работа: Программно-аппаратный комплекс для тестирования интегральных микросхем 155 серии
Главная страница
Новости библиотеки
Форма поиска
Авторизация




 
Статистика
рефераты
Последние новости

Курсовая работа: Программно-аппаратный комплекс для тестирования интегральных микросхем 155 серии

; cmp_st, если 0 переходим к следующему оператору

clr p3.0; зажигает зеленый светодиод - мс работает правильно

ret; выход из процедуры

error: clr p3.1 ; зажигает красный светодиод - мс работает

; неправильно

ret; выход из процедуры

6. Выбор расчет элементов схемы

В данном проекте программно-аппаратный комплекс тестера реализован на базе микроконтроллера КМ1816ВЕ51, основные характеристики которого приведены в табл.2.1 Для задания тактовых импульсов микроконтроллера был задействован кварцевый резонатор: НС-49, с частотой импульсов 12МГц. Конденсаторы в цепи кварцевого резонатора: К10-7В-50В-30пФ±5% и сопротивление: МЛТ-0.25-91к±5%. RC - цепь на выводе сброса, служит для задержки включения контроллера и надежного сброса при замыкании "Сброс", выбрали элементы: сопротивление МЛТ-0.25-8.2к±5%, конденсатор: К50-6-10В-10мкФ±20%.

Для осуществления ввода номера тестируемой микросхемы и задания режима "тест", и подачи на тестер питающего напряжения выбрали набор перекидных переключателей П1Т1-1, рассчитанные на максимальное напряжение 30В и ток 0.5А.

Для правильной и надежной работы портов на входные/выходные линии были установлены резисторы: МЛТ-0.25-1к±5%.

В качестве индикаторов выбрали светодиоды АЛ307БМ подключенные через резисторы R7 - R9, сопротивление которых вычислили по формуле:

R = (Uп - Uo - Uvd) / Ivd = (5 - 0.4 - 0.5) /15×10-3 = 2733 Ом;

где

Uп =5 В- напряжение питания;

Uo = 0,4 В - уровень логического ноля на выходе микроконтроллера;

Uvd и Ivd - справочные данные для диода;

Приняли равным 3 кОм; МЛТ-0.125-3к±5%

Для подключения питания тестируемой ИМС, использовали реле на напряжение срабатывания 4В (для надежного срабатывания и удержания): РС4.569.421-03, подключенной к выходу порта P3.0, через транзисторный ключ и логический элемент НЕ, с большей нагрузочной способностью, чем порт микроконтроллера. Выбрали транзистор КТ315Б и ИМС К155ЛН1.

Для подавления противоэдс создаваемой обмоткой реле в моменты коммутации параллельно обмотке установили диод КД521А.

Для защиты микроконтроллера от ошибки пользователя входы/выходы портов подключили через ограничительные/подтягивающие сопротивления: МЛТ-0.125-2.7к±5% и МЛТ-0.125-4.7к±5%. Установили в близи от микросхемы емкостные фильтры с целью уменьшения влияния помехи источника питания: К50-6-15В-0.5мкФ±20%, К22-5-25-33нФ±5%.

Для индикации набранного номера микросхемы были применены два семисегментных индикатора АЛС337Б подключенные через дешифраторы двоичного кода К514ИД1. Информация на индикаторы снимается с порта P1, т.е. отражает текущую установку переключателей выбора тестируемой микросхемы S1-S8. Испытуемая микросхема устанавливается в контактную панель DIP14.

Принципиальная электрическая схема тестера интегральных микросхем приведена на Рис.6.1.



Электрическая схема тестера (М1: 2)

Рис.7.


Заключение

В данной курсовой работе был разработан программно-аппаратный комплекс для тестирования интегральных микросхем 155 серии. Разработанное устройство выполняет функциональный контроль интегральных микросхем по принципу "годен" - "не годен". Тестированию подвергаются интегральные микросхемы, имеющие корпус DIP14 с 14 выводами и стандартное подключение питания: 14 вывод - "+5В", 7 вывод - "общий". В процессе выполнения работы была составлена блок-схема алгоритма, и по ней составлена подпрограмма тестирования интегральной микросхемы К155ЛА1.


Список литературы.

1.  Однокристальные микроЭВМ. - М.: МИКАП, 1994. - 400 с.: ил.

2.  Сташин В.В. и др. Проектирование цифровых устройств на однокристальных микроконтроллерах. /В.В. Сташин, А.В. Урусов, О.Ф. Мологонцева. - М.: Энергоатомиздат, 1990. - 224 с.

3.  Справочник по интегральным микросхемам. / Б.В. Тарабрин, С.В. Якубовский, Н.А. Барканов и др.; Под ред. Б.В. Тарабна. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1980. - 816 с., ил.

4.  Аванесян Г.Р., Левшин В.П. Интегральные микросхемы ТТЛ, ТТЛШ/ - М.: Машиностроение, 1993. - 252 с.

5.  Основы микропроцессорной техники. /Курс лекций. Кудинов А.К. - Тольятти: 2004.


Страницы: 1, 2, 3, 4

рефераты
Новости