рефераты рефераты
Главная страница > Курсовая работа: Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем  
Курсовая работа: Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем
Главная страница
Новости библиотеки
Форма поиска
Авторизация




 
Статистика
рефераты
Последние новости

Курсовая работа: Розробка і оформлення конструкторської документації гібридних інтегральних мікросхем

Користуючись заданими параметрами (U=5 В, табл. 1), розрахуємо площі плівкових резисторів.

Почнемо розрахунки з визначення потужності P і сили струму I, за формулами [4]:


;                         ; (2.1)

Напруга U для схеми дорівнює 9 В

Для R1

 (Вт)

Для R2, R3:        

 (Вт)

Таблиця 2-Параметри елементів схеми

Поз.позначення Тип елементу і його номінал Кількість Примітки
С2 Конденсатор К10-17-ІВ...0,01 мкФ (навісний елемент) 1

В=1,4 мм; L=1,9 мм

Рис.6

С1 220 пФ 15%(плівковий елемент) 1
D1 Мікросхема 740 УД-5-І (навісний елемент) 1 Рис.5
Резистори (плівкові елементи)
R1 6кОм 10% 1
R2, R3 26кОм 10% 2

 

 (mА)


Розрахуємо геометричні розміри резисторів:

R1:    (плівковий)

Кількість квадратів

a)  Розрахуємо ширину b резистора за формулою [4]:

, (2.2)

 і  беремо з таблички (оскільки схема не потребує високої точності і `не розсіює багато тепла, то беремо кермет).

Тому  Вт/см2,  Ом/мм2.

б) Розрахуємо довжину  резистора R1 знаходимо за формулою [4]:

, (2.3)

в)       Тепер за формулою  визначимо площу резистора R1


R2, R3 (плівковий).

Кількість квадратів

a)  Розрахуємо ширину b резисторів за формулою [4]:

, (2.4)

;

б)       Визначимо довжину резисторів за формулою [3]:

, (2.5)

в)       Тепер розрахуємо площу резисторів [2]:

.

Розрахуємо геометричні розміри конденсаторів C1, С2

Розрахуємо площу конденсатора С1, він буде плівковим

 (2.6)

де С0 питома ємність

Для того щоб знайти питому ємність С0 підберемо матеріал діелектрика. Виберемо моноокис кремнію в таблиці основних електричних і експлуатаційних властивостей плівкових конденсаторів [5]. Випишемо його параметри ε=5 (діелектрична проникність діелектрика), tgδ=0,03 (тангенс кута втрат), Eпр= 2* В/см (напруженість електричноо поля)

З формули пробивної напруги знайдемо товщину конденсатора

Епр=  => d=  (2.7)

d= =7.5   

Далі знайдемо питому ємність конденсатора

С0=0.0885  (ε/d)                   (2.8)

C0=0.0885(5/7.5)=59 (пФ/)

Підставимо знайдену питому ємність у формулу (1.6) та знайдемо його площу

S= =3.7

Розрахуємо площу навісного конденсатора С2

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8

рефераты
Новости