Курсовая работа: Получение арсенида галлия
В результате реакций стенки реакционной камеры и
расположенные в камере подложки покрываются пленкой GaAs. Структурное
совершенство пленок и их электрофизические свойства зависят от многих
параметров: структурного совершенства состояния поверхности и химической
чистоты подложки, чистоты реагентов и чистоты установки, скорости роста и
постоянства условий роста (постоянство скорости потока, постоянство температуры).
Наиболее эффективным методом очистки поверхности подложки
является газовое травление непосредственно в реакционной камере до начала
процесса нанесения пленки. Для этого в начале эксперимента температура зоны
осаждения должна превышать температуру первой зоны. Через аппарат пропускают
парогазовую смесь в течение нескольких минут; после чего температуру зоны
понижают до ее нормального значения и проводят процесс.
Для изготовления различных приборов на арсениде галия можно
использовать слои различной степени легирования. Поэтому выбор способа
получения слоев может корреспондироваться с типом приборов, для которых они
предназначены. Большой интерес представляет электрохимическое получение
арсенида галлия для дальнейшего использования в пленочных преобразователях
солнечной энергии.
Несмотря на то, что работы по арсениду галлия ведутся
широким фронтом, его возможности далеко неисчерпанны.
1.
В.Н. Черняев, Л.В., Кожитов “ Технология получения эпитаксиальных слоев
арсенида галлия и приборы на их основе." 1974 г.
2.
Материал из Википедии - свободной энциклопедии. www.wikipedia.org
2009 г.
3.
“Материалы Электронной Техники" В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. 1986 г.
4.
“Технология Материалов и Электронной Техники" А.В. Каменская,
Новосибирский Государственный Университет 1999 г.
|
