Учебное пособие: Теорія електричних і електронних кіл
таблиця 5.2 – Экспериментальные данные роботы № 4
Зміряні дані |
Розрахункові дані |
Примітки |
Величина зворотної напруги
Uпр, В
|
Величина зворотного струму
Iпр, мA
|
Омічний опір діода
R0, Ом
|
Диференціальний опір діода
Rдифф, Ом
|
1 |
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
3 |
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
5 |
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
7 |
|
|
|
|
7. побудувати ВАХ прямої гілки діода. Розрахувати параметри
діода (омічний опір, диференціальний опір).
8. встановити ручки регуляторів напруги стенду в крайнє
ліве положення. Вимкнути живлення стенду.
5.5 Зміст звіту
До звіту заносять:
- тему і мету роботи;
- результати вимірювання струму і напруг на окремих ділянках ланцюгів досліджуваної
схеми;
- розрахунки характеристик и параметрів діода;
- висновки.
5.6 Контрольні питання
1.
Як виникає р-n перехід при ідеальному контакті напівпровідників
з різним типом електропровідності.
2.
Намалювати схему і пояснити спосіб зняття ВАХ діодів за допомогою
амперметра і вольтметра.
3.
Намалювати схему і пояснити спосіб зняття ВАХ діодів за допомогою
осцилографа.
4.
Пояснити роботу р-n переходу при прямому і зворотному включенні.
5.
Чим відрізняються ВАХ ідеального р-n переходу і реального діода.
6.
Дати визначення диференціального опору діода і пояснити графічно
спосіб його визначення.
7.
Записати рівняння ВАХ випрямного діода, графік ВАХ і його пояснення.
8.
Намалювати ВАХ стабілітрона і визначити робочу ділянку ВАХ при
стабілізації напруги.
9.
Чому величина бар'єрної місткості залежить від прикладеної напруги?
10.
Яка фізична природа дифузійної місткості р-п переходу?
11.
Перерахувати основні параметри діодів.
Лабораторна робота № 6
Дослідження характеристик
ліній з розподіленими параметрами
6.1 Мета роботи:
одержати навики дослідження ліній з розподіленими
параметрами в різних режимах роботи.
6.2 Зміст роботи:
провести необхідні дослідження з використанням вимірювальної лінії
для визначення характеристик лінії з розподіленими параметрами.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15 |