рефераты рефераты
Главная страница > Курсовая работа: Радиоприемное устройство для приема сигналов типа F3EH  
Курсовая работа: Радиоприемное устройство для приема сигналов типа F3EH
Главная страница
Новости библиотеки
Форма поиска
Авторизация




 
Статистика
рефераты
Последние новости

Курсовая работа: Радиоприемное устройство для приема сигналов типа F3EH

Расчет элементов С2, L3,L4 можно произвести по формулам 3.44 – 3.45.

Результаты расчета сведены в таблицу 3.4.

y r Ом

м2

С2 пФ

L3 мкГн

К0

L4 мкГн

0.663 112.36 0.138 130 1.66 17.019 0.19

Сопротивление термокомпенсации R3

                                          (3.73)

Uк=8В – напряжение Uкэ в выбранной рабочей точке.

Принимаем R3=1(кОм).

Находим величину сопротивления резистора R1

                             (3.74)

где V=3 – коэффициент нестабильности схемы;        

Принимаем R1=5.7кОм

Находим величину сопротивления резистора R2

                            (3.75)

Принимаем R2=3(кОм)

Емкость в цепи эмиттера С3 равна

                                       (3.76)

Принимаем С3=620пФ.

Емкость С1=0.1 мкФ из соображений минимального сопротивления на рабочей частоте.

3.5 Расчет частотного детектора

Особенностью детектора отношений (дробного детектора), приведенного на рис 3.5, является его способность к подавлению паразитной амплитудной модуляции, что позволяет использовать этот тип детектора без предварительного ограничения амплитуды входного сигнала. К тому же дробный детектор более чувствителен и требует на входе напряжения порядка 0.05 – 0.1 В. Благодаря этим свойствам детектор отношений нашел широкое применение в технике радиоприемных устройств.

Рис 3.5

Определяем индуктивность катушки L3, при условии, что L1=0.849мкГн.

                              (3.77)

Находим конструктивные коэффициенты связи между индуктивностями L1 и L2, а также L3 и L1.

                                               (3.78)

где Qэ – эквивалентная добротность контуров.

                                          (3.79)


где Q3=50 – добротность катушки L3.

Вычисляем собственное резонансное сопротивление первичного контура.

                 (3.80)

где f0 – промежуточная частота, f0=10.7МГц;

Qk=150 – добротность контура L1,C1.

Рассчитываем коэффициент включения первичного контура в коллекторную цепь транзистора VT1

                     (3.81)

где R22, R11 – соответственно выходное и входное сопротивление транзистора, R22=17.3кОм, R11=728Ом.

Находим емкости конденсаторов контуров

 (3.82)

Принимаем С3=240пФ.

       (3.83)

где Сd=0.5пФ – емкость диода.

Принимаем С6=240пФ.

Определяем величины емкостей нагрузки диодов

      (3.84)

где Fв =47кГц – верхняя частота низкочастотного сигнала;

R6=R7=6.2кОм.

Принимаем С8=С9=С5=6.2нФ.

Находим емкость электролитического конденсатора С10

                                      (3.85)

Принимаем С10=33мкФ.

Вычисляем емкость конденсатора С7 низкочастотного фильтра предыскажений

                            (3.86)

где tп=75мкс – постоянная цепи предыскажений;

Rвхсд=485 Ом – входное сопротивление стереодетектора;

Cвхсд@0 – входная емкость стереодетектора;

Принимаем С7=370 нФ.

Максимальное изменение постоянной времени цепи коррекции предыскажений при движении потенциометра R8 определяем следующим образом

                 (3.87)

где Rвхсд=970/2=485 Ом, Свхсд@0

Рассчитываем величину Uд0

                                (3.88)

где U1 – напряжение на контуре L2, C6, U1=0.1В

Определяем угол отсечки токов в режиме отсутствия частотно модулированного сигнала

                                (3.89)

где Sд=13мА/В – крутизна ВАХ диода.

Определяем величину напряжения на конденсаторе С10

                         (3.90)

Находим величину параметра А

                                   (3.91)

где  - максимальная девиация частоты.

Вычисляем максимальное значение Uд1max


                 (3.92) Определяем q1min

 (3.93)

где R5=R8=10 кОм;

xq@1.6 – поправочный множитель, согласно графику рис.6.4 [4], при Rн=0.5 кОм.

Находим выходное напряжение при максимальном отклонении f от fпч

                (3.94)

Рассчитываем напряжение на входе транзистора VT1

                              (3.95)

Находим коэффициент передачи всей схемы от входа транзистора VT1 до входа СД

                                          (3.96)

Величину емкости С1 найдем по формулам 3.42, 3.43, где Gпосл=1/Rвхсд= Ом;

Принимаем С1=470 пФ.

3.6 Расчет системы АРУ

На рис 3.6 приведена принципиальная схема АРУ.

Рис3.6

Необходимые пределы регулирования системы АРУ, приведенной на рис3.6

                                        (3.97)

Задаемся максимальной величиной тока коллектора регулируемых каскадов

и величиной


Коэффициент усиления регулируемых каскадов

                      (3.98)

при q=1(0дБ) – Крегmax=73.71(дБ);

при q=0.1(-20дБ) – Крегmin=13.71(дБ);

Пределы регулировки

                           (3.99)

Принимая R3=16 кОм определяем коэффициент управления.

                   (3.100)

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11

рефераты
Новости