Контрольная работа: Одиночные усилительные каскады на биполярных транзисторов
| КЕ1(f) |
0,44 |
1,01 |
1,64 |
2,1 |
2,22 |
| f от fн1 |
0,0032 |
0,008 |
0,016 |
0,032 |
0,08 |
| КЕ1(f) |
2,22 |
2,1 |
1,64 |
1,02 |
0,44 |
| f от fв1 |
0,05 |
0,125 |
0,25 |
0,5 |
1,25 |
| КЕ2(f) |
0,02 |
0,04 |
0,05 |
0,06 |
0,06 |
| f от fн2 |
0,012 |
0,027 |
0,042 |
0,054 |
0,059 |
| КЕ2(f) |
0,059 |
0,054 |
0,042 |
0,027 |
0,012 |
| f от fв2 |
79,618 |
199,045 |
398,09 |
796,18 |
1990,45 |
Построим
частотные KE(f) и фазовые j(f)
характеристики усилителей.
Рисунок 11—Фазовые j(f) характеристики
усилителей (масштаб для f: φн1(f)=100:1,
φв1(f)=10:1, φн2(f)=100:1,
φв2(f)=1:200)
Рисунок 12—Частотные KE(f) характеристики усилителей (масштаб для: KE
(f н1)=2:1, KE(f в1)=2:1, KE(f
н2)=200:1, KE(f в2)= 200:1, f н1=100:1, f в1=10:1, fн2=100:1, f в2= 1:200)
Рассчитаем
коэффициенты частотных искажений Мн и Мв.
Коэффициенты
частотных искажений определяем из выражений:
Для
схемы с общим эмиттером:
 ,
где  ;
 ;
 ,
 ;
 ,
  ωв1=2πfв1.
Согласно
формулам производим расчёты:
ωв1=2πfв1=2∙3,14∙0,25=1,57;
ωн1=2πfн1=2∙3,14∙0,0016=0,01;
Для
схемы с общим коллектором:
 ,
где  ;
 , ;
 ,
 .
Согласно
формулам производим расчёты:
ωв2=2πfв2=2∙3,14∙398,09=2505;
ωн2=2πfн2=2∙3,14∙0,026=0,16;
Литература
Жаворонков
М.А. Электротехника и электроника. – М.: Академия, 2005.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6 |
