Контрольная работа: Одиночные усилительные каскады на биполярных транзисторов
Характеристики транзистора КТ312А:
Ik max=30мА; UКЭmax=20В; Pk max=225мВТ; IКБО=0,2 мкА; h21Э=10…100; fmax=80МГц; rБ=900 Ом; rЭ=30
Ом; r*К=30 кОм; β=50; Ск=4 пФ.

Рисунок
8—Характеристики транзистора КТ312А с
проведёнными линиями нагрузки MN по постоянному току и нагрузки СD по переменному току, а также выбрана точка покоя А
Данные
для расчёта: Ек=15В, Rн1=1кОм, Rн2=0,2кОм,
Сн1=Сн2=0,01мкФ
Проводим
линию нагрузки по постоянному току MN, используя
выходные характеристики транзистора (рисунок 8). Линия нагрузки MN стоится по двум точкам. Точка N
соответствует режиму холостого хода, когда Iк=0, а Uкэ=Ек. Соответственно:
Iк=0, Uкэ=Ек=15 В.
Точка M соответствует режиму, когда Uкэ=0, Iк=Ек/(Rк1+Rэ1).
Соответственно:
Uкэ=0, Iк=Ек/(Rк1+Rэ1)=15/(1,3+1)=6,52 мА.
Выбраем
рабочую точку покоя А примерно посредине линии нагрузки по постоянному току MN, проводим через точку покоя А линию нагрузки СD по переменному току под углом g, котангенс которого пропорционален результирующему
сопротивлению в цепи коллектора по переменному току:
ctgg=(a/b)Rн1~;
где a—масштабный коэффициент по оси ординат, мА/мм; b—масштабный коэффициент по оси абсцисс, В/мм.
Rн1~=(Rк1Rн1)/(Rк1+Rн1), кОм
Подставляем
данные, получаем соответственно:
Rн1~=(Rк1Rн1)/(Rк1+Rн1)=(1,3∙1)/(1,3+1)=0,5652 кОм
Подставляем данные а=9мА/мм; b=9В/мм;
получаем соответственно:
ctgg=(a/b)Rн1~=(9/9)∙0,5652=0,5652
Зная ctgg находим g: g=60028/

Рисунок 9—Временные диаграммы
Определяем
графически параметры: Uкп − напряжение на
коллекторе в режиме покоя, Iкп − коллекторный ток
покоя, Uвыхm −
амплитуду неискаженного выходного напряжения.
С учётом масштабных коэффициентов рисунка 9 a1=0,7;
b1=0,7:
Напряжение
на коллекторе в режиме покоя Uкп=1,986 В,
Коллекторный
ток покоя Iкп=4,071 мА,
Амплитуда
неискаженного выходного напряжения Uвыхm=5,857 В.
Начертим
эквивалентные схемы и рассчитаем основные параметры усилителей по формулам
таблицы 2, где Rвх − входное сопротивление
каскада с учетом сопротивления делителя RБ, Rвых − выходное сопротивление каскада, Ki=Iн/Iвх −
коэффициент усиления по току, KЕ=Uвых/Ег
– коэффициент усиления ЭДС Ег источника сигнала, Кu=Uвых/Uвх − коэффициент усиления
по напряжению относительно входного напряжения Uвх,
Кр=Рвых/Рвх − коэффициент усиления по мощности, знак || означает
параллельное соединение резисторов. Результаты расчета занесём в таблицу 3.

Рисунок 10—Эквивалентным схемам для переменных
составляющих тока и напряжения с общим эмиттером (а) и с общим коллектором (б)
Таблица
2—Основные параметры усилителей
Параметры
усилителя |
Схема с
общим эмиттером |
Схема с
общим коллектором |
Rвх |
Rб1 || rвх1;
Rб1=R1 || R2; rвх1=rб+(1+b)rэ
|
Rб2 || [Rн2~(1+b)];
Rб2=R3 || R4
|
Rвых |
Rк1 || r
|
; 
|
Ki |

|
; 
|
Ku |
  
|

|
KE |

|

|
Kp |
Ki1 Ku1 |
Ki2 Ku2 |
Rн~ |

|

|
Таблица 3—Результаты расчётов
№ варианта |
Схема
включения |
Результаты |
Параметры |
Rвх, кОм |
Rвых, кОм |
КЕ |
Ku |
Ki |
Kp |
1 |
с общим
эмиттером |
Расчет |
1,99 |
0,8 |
2,24 |
2,71 |
23,14 |
50,21 |
1 |
с общим
коллектором |
Расчет |
0,09 |
0,05 |
0,06 |
0,79 |
0,36 |
0,28 |
Рассчитаем
коэффициент температурной нестабильности S по формуле:
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6 |