Реферат: Импульсный усилитель
Реферат: Импульсный усилитель
Пояснительная записка к курсовому проекту
по дисциплине Схемотехника и АЭУ
Выполнл студент гр. 180 Курманов Б.А.
Министерство образования Российской
Федерации
ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ
УПРАВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР)
Кафедра радиоэлектроники и защиты
информации (РЗИ)
2003
Реферат
Курсовая
работа 29с., 12 рис., 3 табл., 2 источника.
УСИЛИТЕЛЬНЫЙ
КАСКАД, ТРАНЗИСТОР, КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ, ЧАСТОТНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ, НАПРЯЖЕНИЕ,
МОЩНОСТЬ, ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИЯ, СКВАЖНОСТЬ, КОРРЕКТИРУЮЩАЯ ЦЕПЬ, ОДНОНАПРАВЛЕННАЯ
МОДЕЛЬ.
Целью
данной работы является приобретение навыков аналитического расчёта усилителя по
заданным требованиям.
В
процессе работы производился расчёт параметров усилителя, анализ различных схем
термостабилизации, были рассчитаны эквивалентные модели транзистора,
рассмотрены варианты коллекторной цепи транзистора.
В
результате работы получили принципиальную готовую схему усилителя с известной
топологией и известными номиналами элементов.
Пояснительная
записка выполнена в текстовом редакторе Microsoft Word 2002.
СОДЕРЖАНИЕ
1.Введение |
|
2.Предварительный расчет усилителя |
|
2.1 Расчет рабочей точки |
|
3. Выбор транзистора |
|
4. Расчет схемы термостабилизации |
|
4.1 Эмиттерная термостабилизация |
|
4.2 Пассивная коллекторная
термостабилизация |
|
4.3 Активная коллекторная
термостабилизация |
|
5. Расчёт параметров схемы Джиаколетто |
|
6. Расчет высокочастотной индуктивной
коррекции |
|
7. Промежуточный каскад |
|
7.1 Расчет рабочей точки. Транзистор VT2 |
|
7.1.1 Расчет высокочастотной индуктивной
коррекции |
|
7.1.2 Расчет схемы термостабилизации |
|
7.2 Транзистор VT1 |
|
7.2.1 Расчет схемы термостабилизации |
|
8. Искажения вносимые входной цепью |
|
9. Расчет Сф, Rф, Ср |
|
10. Заключение |
|
Литература |
|
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ № 2
на
курсовое проектирование по дисциплине “Схемотехника АЭУ”
студенту
гр.180 Курманову Б.А.
Тема
проекта Импульсный усилитель
Сопротивление
генератора Rг = 75 Ом.
Коэффициент
усиления K = 25 дБ.
Длительность
импульса 0,5 мкс.
Полярность
"положительная".
Скважность
2.
Время
установления 25 нс.
Выброс
5%.
Искажения
плоской вершины импульса 5%.
Амплитуда
4В.
Полярность
"отрицательная".
Сопротивление
нагрузки Rн = 75 Ом.
Условия
эксплуатации и требования к стабильности показателей усилителя 20 - 45 °С.
Срок
сдачи проекта на кафедру РЗИ 10.05.2003.
Дата
выдачи Задания 22.02.2003.
Руководитель
проектирования _____________
Исполнитель
______________
1.Введение
Импульсные
усилители нашли широкое применение. Особенно широко они применяются в
радиотехнических устройства, в системах автоматики, в приборах
экспериментальной физики, в измерительных приборах.
В
зависимости от задач на импульсные усилители накладываются различные
требования, которым они должны отвечать. Поэтому усилители могут различаться
между собой как по элементной базе, особенностям схемы, так и по конструкции.
Однако существует общая методика, которой следует придерживаться при
проектировании усилителей.
Задачей
представленного проекта является отыскание наиболее простого и надежного
решения.
Для
импульсного усилителя применяют специальные транзисторы, имеющие высокую
граничную частоту. Такие транзисторы называются высокочастотными.
Итогом
курсового проекта стали параметры и характеристики готового импульсного
усилителя.
2.Предварительный расчет усилителя
2.1 Расчет рабочей точки
Исходные
данные для курсового проектирования находятся в техническом задании.
Средне
статистический транзистор даёт усиление в 20 дБ, по заданию у нас 25 дБ, отсюда
получим, что наш усилитель будет иметь как минимум 2 каскада. Однако исходя из условия
разной полярности входного и выходного сигнала число каскадов должно быть
нечетным, следовательно число каскадов составит 3.
Структурная
схема многокаскадного усилителя представлена на рис.2.1
Рисунок
2.1 - Структурная схема усилителя
По
заданному напряжению на выходе усилителя рассчитаем напряжение коллектор
эмиттер и ток коллектора (рабочую точку).
Iко=
Uкэо=
Рассмотрим
два варианта реализации схемы питания транзисторного усилителя: первая схема
реостатный каскад, вторая схема дроссельный каскад.
Дроссельный
каскад:
Схема
дроссельного каскада по переменному току представлена на рисунке 2.2.
Рисунок
2.2 - Схема дроссельного каскада
Rн=75
(Ом).
Расчетные
формулы:
(2.1)
(2.2)
(2.3)
(2.4)
Исходя
из формул 2.1 - 2.4 вычислим напряжение Uкэо и ток Iко.
Eп
= Uкэо = 4В
Pвых
= Вт
Pпотр
= Вт
η
=
Резистивный
каскад:
Схема
резистивного каскада по переменному току представлена на рисунке 2.3.
Рисунок
2.3 - Схема резистивного каскада
Rк=75(Ом),
Rн=75 (Ом), Rн~=37,5 (Ом).
Исходя
из формул 2.1 - 2.4 вычислим напряжение Uкэо и ток Iко.
Eп
= Iко*Rк+Uкэо = 8,4В
Pвых
= Вт
Pпотр
= Вт
η
=
Результаты
выбора рабочей точки двумя способами приведены в таблице 2.1.
Таблица
2.1.
|
Eп, (В) |
Iко, (А) |
Uко, (В) |
Pвых.,(Вт) |
Pпотр.,(Вт) |
PRк,(Вт) |
η |
Rк |
8,4 |
0,0587 |
4 |
0,107 |
0,496 |
0,255 |
0,22 |
Lк |
4 |
0,0293 |
4 |
0,107 |
0,117 |
|
0,91 |
3. Выбор транзистора
Выбор
транзистора осуществляется с учётом следующих предельных параметров:
PRк
≤ Pк доп*0,8
Iко
≤ 0,8*Iк max
fв(10-100)
≤ fт
Uкэо
≤ 0,8*Uкэ доп
Исходя
из данных технического задания. Тогда верхняя граничная частота
оконечного каскада:
Страницы: 1, 2 |