Курсовая работа: Разработка и описание работы устройства на PIC-контроллере
TTL - стандартный TTL вход, ST - вход с триггером
Шмитта.
Примечания:
1. Триггер Шмитта на входе применяется, только если
вывод сконфигурирован, как вход внешнего прерывания.
2. Триггер Шмитта на входе применяется только в режиме
последовательного программирования кристалла.
3. Триггер Шмитта на входе применяется только если
включен режим RC-генератора, в остальных случаях как CMOS вход.
Микроконтроллеры PIC16F84 могут программироваться
непосредственно на плате устройства, что позволяет отлаживать программу либо
записывать константы и калибровочные данные. Для программирования на плате
необходимо максимум пять проводов: питание +5В, напряжение программирования,
последовательные данные, тактирующие импульсы и общий. Память программ только
встроенная.
Таблица 3.3 - Электрические параметры
Параметр |
Значение |
Примечание |
Рабочая температура Та,°С |
0 ... +40
-40... +85
|
Коммерческое исполнение.
Индустриальное исполнение
|
Максимальная тактовая частота Fosc,
МГц |
4
10
|
PIC16F84-4
PIC16F84-10
|
Напряжение питания
Vdd,B
|
2,0... 6,0
4,0... 6,0
|
PIC16LF84
PIC16F84
|
Потребляемый ток в стандартном
режиме Idd, мА |
1,8 ...4,5
5... 10
|
Fosc=4 МГц, Vdd=5.5 В Fosc=10MГц,
Vdd=5.5B |
Потребляемый ток в стандартном
режиме Idd, мA |
1 ...4
15... 45
|
Fosc=2 МГц, Vdd=5.5 В
Fosc=32 кГц, Vdd=2.0 В,
WDT отключен
|
Потребляемый ток в режиме SLEEP
Ipd, мкА для PIC16F84 |
7... 28
1 ... 16
1 ... 14
|
Vdd=4 В, WDT вкл., инд.
Vdd=4 В, WDT выкл., инд.
Vdd=4 В, WDT выкл., комм.
|
Потребляемый ток в режиме SLEEP
Ipd, мкА для PIC16LF84 |
3... 16
0,4 ...9
0,4... 7
|
Vdd=2 В, WDT вкл., инд.
Vdd=2 В, WDT выкл., инд.
Vdd=2 В, WDT выкл., инд.
|
Максимальный втекающий ток для
любого вывода, мА |
25 |
Управление светодиодами без
дополнительного буфера (но с резистором!) |
Максимальный вытекающий ток для
любого вывода, мА |
20 |
Управление светодиодами без дополнительного
буфера (но с резистором!) |
Количество циклов стирание/запись
для флэш-памяти программ, не менее |
1000 |
|
Количество циклов стирание/запись
для памяти данных EEPROM, не менее |
10.000.000 |
|
Организация памяти.
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 |