Курсовая работа: Моделі і методика побудови волоконно-оптичної системи передачі даних
Оптоелектронні елементи ВОСП
Таблиця В.1 – Типові параметри напівпровідникових
джерел випромінювання
Параметр
|
Світловод
|
Лазерний діод
|
Одночастотний
ЛД |
Ширина
спектра, Δλ, нм
Час
наростання, τн, нс
Смуга
модуляції, МГц
Ресурс
роботи, год
Чутливість
до температури
|
20
... 100
2
... 250
<
300
105
Низька
|
1
... 5
0,1
... 1
2000
104
... 105
Висока
|
<
0,2
0,05
... 1
6000
104
... 105
Висока
|
Таблиця В.2 – Типові параметри напівпровідникових фотодіодів
Матеріал |
Структура |
τн,
мс
|
Область
спектральної чутливості, нм |
SI,
A/Bт
|
IТ,
нА
|
М |
Кремній
|
p–
i – n |
0,5 |
0,3
... 1,1 |
0,5 |
1 |
1 |
Германій |
p–
i – n |
0,1 |
0,5
... 1,8 |
0,7 |
200 |
1 |
InGaAs |
p–
i – n |
0,3 |
0,9
... 1,7 |
0,6 |
10 |
1 |
Кремній
Германій
InGaAs
|
ЛФД
ЛФД
ЛФД
|
0,5
1,0
0,25
|
0,4
... 1,0
1,0
... 1,6
1,0
... 1,7
|
75
35
12
|
15
700
100
|
150
50
20
|
Примітка: τн – час зростання переднього
фронту імпульсу; SI – струмова чутливість; IТ – темновий
струм; М – коефіцієнт лавинного множення.
ДОДАТОК Г
ВОЛОКОННО-ОПТИЧНІ СИСТЕМИ ПЕРЕДАЧІ
Таблиця Г.1 – Параметри цифрових
систем РDН
Системи
позначення рівня |
Кількість
еквівалентних каналів ТЧ |
Ієрархічна
швидкість
передачі N біт/с
|
Код
електричного стику |
Е1
|
30
(32) |
2,048 |
HDB3
|
Е2 |
120(128) |
8,448 |
HDB3 |
Е3 |
480 |
34,368 |
HDB3 |
Е4 |
1920 |
139,264 |
CMI |
Таблиця Г.2 – Параметри цифрових систем SDH
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 |