рефераты рефераты
Главная страница > Курсовая работа: Моделі і методика побудови волоконно-оптичної системи передачі даних  
Курсовая работа: Моделі і методика побудови волоконно-оптичної системи передачі даних
Главная страница
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биология
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
География экономическая география
Геодезия
Геология
Госслужба
Гражданский процесс
Гражданское право
Иностранные языки лингвистика
Искусство
Историческая личность
История
История государства и права
История отечественного государства и права
История политичиских учений
История техники
История экономических учений
Биографии
Биология и химия
Издательское дело и полиграфия
Исторические личности
Краткое содержание произведений
Новейшая история политология
Остальные рефераты
Промышленность производство
психология педагогика
Коммуникации связь цифровые приборы и радиоэлектроника
Краеведение и этнография
Кулинария и продукты питания
Культура и искусство
Литература
Маркетинг реклама и торговля
Математика
Медицина
Реклама
Физика
Финансы
Химия
Экономическая теория
Юриспруденция
Юридическая наука
Компьютерные науки
Финансовые науки
Управленческие науки
Информатика программирование
Экономика
Архитектура
Банковское дело
Биржевое дело
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
География
Кредитование
Инвестиции
Информатика
Кибернетика
Косметология
Наука и техника
Маркетинг
Культура и искусство
Менеджмент
Металлургия
Налогообложение
Предпринимательство
Радиоэлектроника
Страхование
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Сочинения по литературе и русскому языку
Теория организация
Теплотехника
Туризм
Управление
Форма поиска
Авторизация




 
Статистика
рефераты
Последние новости

Курсовая работа: Моделі і методика побудови волоконно-оптичної системи передачі даних

Оптоелектронні елементи ВОСП

Таблиця В.1 – Типові параметри напівпровідникових джерел випромінювання

Параметр

Світловод

Лазерний діод

Одночастотний ЛД

Ширина спектра, Δλ, нм

Час наростання, τн, нс

Смуга модуляції, МГц

Ресурс роботи, год

Чутливість до температури

20 ... 100

2 ... 250

< 300

105

Низька

1 ... 5

0,1 ... 1

2000

104 ... 105

Висока

< 0,2

0,05 ... 1

6000

104 ... 105

Висока

Таблиця В.2 – Типові параметри напівпровідникових фотодіодів

Матеріал Структура

τн, мс

Область спектральної чутливості, нм

SI, A/Bт

IТ, нА

М

Кремній

p– i – n 0,5 0,3 ... 1,1 0,5 1 1
Германій p– i – n 0,1 0,5 ... 1,8 0,7 200 1
InGaAs p– i – n 0,3 0,9 ... 1,7 0,6 10 1

Кремній

Германій

InGaAs

ЛФД

ЛФД

ЛФД

0,5

1,0

0,25

0,4 ... 1,0

1,0 ... 1,6

1,0 ... 1,7

75

35

12

15

700

100

150

50

20

Примітка: τн – час зростання переднього фронту імпульсу; SI – струмова чутливість; IТ – темновий струм; М – коефіцієнт лавинного множення.


ДОДАТОК Г

ВОЛОКОННО-ОПТИЧНІ СИСТЕМИ ПЕРЕДАЧІ

Таблиця Г.1 – Параметри цифрових систем РDН

Системи позначення рівня Кількість еквівалентних каналів ТЧ

Ієрархічна

швидкість передачі N біт/с

Код електричного стику

Е1

30 (32) 2,048

HDB3

Е2 120(128) 8,448 HDB3
Е3 480 34,368 HDB3
Е4 1920 139,264 CMI

Таблиця Г.2 – Параметри цифрових систем SDH

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9

рефераты
Новости