рефераты рефераты
Главная страница > Дипломная работа: Разработка PIC-контроллера устройства измерения временных величин сигналов  
Дипломная работа: Разработка PIC-контроллера устройства измерения временных величин сигналов
Главная страница
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биология
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
География экономическая география
Геодезия
Геология
Госслужба
Гражданский процесс
Гражданское право
Иностранные языки лингвистика
Искусство
Историческая личность
История
История государства и права
История отечественного государства и права
История политичиских учений
История техники
История экономических учений
Биографии
Биология и химия
Издательское дело и полиграфия
Исторические личности
Краткое содержание произведений
Новейшая история политология
Остальные рефераты
Промышленность производство
психология педагогика
Коммуникации связь цифровые приборы и радиоэлектроника
Краеведение и этнография
Кулинария и продукты питания
Культура и искусство
Литература
Маркетинг реклама и торговля
Математика
Медицина
Реклама
Физика
Финансы
Химия
Экономическая теория
Юриспруденция
Юридическая наука
Компьютерные науки
Финансовые науки
Управленческие науки
Информатика программирование
Экономика
Архитектура
Банковское дело
Биржевое дело
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
География
Кредитование
Инвестиции
Информатика
Кибернетика
Косметология
Наука и техника
Маркетинг
Культура и искусство
Менеджмент
Металлургия
Налогообложение
Предпринимательство
Радиоэлектроника
Страхование
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Сочинения по литературе и русскому языку
Теория организация
Теплотехника
Туризм
Управление
Форма поиска
Авторизация




 
Статистика
рефераты
Последние новости

Дипломная работа: Разработка PIC-контроллера устройства измерения временных величин сигналов

1.5.2 Описание используемых транзисторов

Для разрабатываемого устройства тарнзисторы выбирались по исходному материалу, рассеиваемой мощности, диапазону рабочих частот, принципу действия. Для PIC контроллерного устройства измерения временных величин сигналов, а именно для его входной части усилителя–формирователя подошли транзисторы

КП313А (маломощный полевой транзистор) и КТ368А (высокочастотный маломощный транзистор). Их основные параметры представлены в таблицах 1.8 и 1.9.


Таблица 1.8

Параметр

Значение

Обратный ток коллектора при Uкб

0,5/15 мкА

Обратный ток эмиттера при Uэб

1/4 мкА
Входное сопротивление 6 Ом
Коэффициент передачи тока 50…300
Коэффициент обратной связи
Граничная частота коэффициента передачи 900 МГц
Емкость коллекторного перехода 1,7 пФ
Коэффициент шума 3,3 Б
Рассеиваемая мощность без теплоотвода 225 мВт
Температура окружающей среды +125 — -60
Общее тепловое сопротивление

0,36 оС/мВт

Таблица 1.9

Параметр

Значение

Начальный ток стока
Крутизна характеристики 5…10,5 мА/В
Напряжение отсечки ³6 В
Ток утечки затвора 10 нА
Коэффициент шума 7,5 дБ
Входная емкость 7 пФ
Проходная емкость 0,8 пФ
Постоянная рассеиваемая мощность 120 мВт
Температура окружающей среды +85 — -45
Общее тепловое сопротивление

1.5.3 Описание используемых диодов

Импульсные диоды предназначены для преобразования импульсных сигналов.

Основные параметры импульсных диодов: импульсное прямое напряжение диода Uпр. и — наибольшее мгновенное значение прямого напряжения, обусловленное импульсным прямым током диода. Импульсное обратное напряжение диода Uобр. и — мгновенное значение обратного напряжения диода. Импульсный прямой ток диода Iпр. и — наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи. Общая емкость диода Сд — значение емкости между выводами диода. Время прямого восстановления диода tвос. пр — время, в течении которого происходит включение диода и прямое напряжение на нем устанавливается от значения, равного нулю, да установившегося значения. Время обратного восстановления диода tвос. обр — время переключения диода с прямого тока на обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения. Заряд восстановления диода Qвос — накопленный заряд диода, вытекающий во внешнюю цепь при переключении диода с прямого тока на обратное напряжение.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18

рефераты
Новости