Учебное пособие: Основи електроніки
Таблиця 10.1а
|
Номер відповіді
|
Відповідь
|
| 1.
|
Електрони під дією прикладеної зворотної напруги з n-шару почнуть
надходити в джерело, з якого будуть проникати в р-шар, заповнюючи дірки
(тобто відбудеться розширення замикаючого шару). Цей процес припиниться,
коли товщина замикаючого шару стане пропорційною прикладеній напрузі
джерела. У напівпровіднику буде відбуватися незначний упорядкований і
спрямований рух зарядів (зворотний електричний струм) доти, поки до нього
прикладена зворотна напруга від джерела електрорушійної сили. |
| 2.
|
Місце з'єднання р-шару та n-шару, у якому електрони
n-шару заповнюють дірки р-шару. |
| 3.
|
Місце з'єднання р-шару та n-шару, у якому
утворюється шар речовини, який не має вільних зарядів (тобто має великий
опір). |
| 4.
|
Різниця потенціалів і електричний струм, якщо від
джерела електрорушійної сили до р-шару напівпровідника прикласти позитивний
потенціал, а до n-шару – негативний потенціал. |
| 5.
|
Якщо з'єднати напівпровідник р-типу з
напівпровідником n-типу. |
| 6.
|
Електрони під дією прикладеної прямої напруги з
n-шару почнуть проникати в р-шар, заповнюючи дірки. Нестача електронів в
n-шарі та дірок у р-шарі компенсується за рахунок джерела електрорушійної
сили: електрони від джерела надходять в n-шар, а з р-шару електрони
надходять у джерело, утворюючи в цьому шарі дірки. Цей упорядкований і
спрямований рух вільних зарядів у напівпровіднику (прямий електричний струм)
відбувається доти, поки до нього прикладена пряма напруга від джерела
електрорушійної сили. |
| 7.
|
Різниця потенціалів і електричний струм, якщо від
джерела електрорушійної сили до р-шару напівпровідника прикласти негативний
потенціал, а до n-шару – позитивний потенціал. |
| 8.
|
Речовини, у яких валентна зона та зона провідності
розділені забороненою зоною, ширина якої набагато менше, ніж у діелектриків;
при цьому їх електропровідність знаходиться між провідниками та діелектриками. |
| 9.
|
Електрони. |
| 10.
|
–
при
прямій напрузі проводить електричний струм в одному напряму (є провідником),
а при зворотній напрузі практично не проводить електричний струм (є
діелектриком);
–
при
збільшенні температури питомий опір знижується.
|
| 11.
|
У результаті хімічного донорно-акцепторного зв'язку. |
| 12.
|
Якщо в хімічний елемент IV групи внести в якості
домішки хімічний елемент III групи, то при кімнатній температурі атоми
домішки захоплюють електрони в деяких атомів хімічного елемента IV групи для
утворення хімічного зв'язку. У результаті ці атоми, які розташовані у вузлах
кристалічної решітки, стають позитивними іонами, навколо яких знаходяться
нейтральні атоми. Нейтральні атоми, що знаходяться біля іона, віддають свої
електрони позитивному іону, роблячи його нейтральним; при цьому вони самі
стають позитивними іонами. Отже, місце позитивного іона увесь час міняється,
начебто переміщається позитивний заряд, що дорівнює за модулем заряду
електрона. |
| 13.
|
Якщо в хімічний елемент IV групи внести домішку
(хімічний елемент V групи), то при кімнатній температурі атоми домішки
віддають 5-й електрон, що не бере участь у створенні хімічного зв'язку. У
результаті атоми домішки, які розташовані у вузлах кристалічної решітки,
стають позитивними іонами, а в отриманій речовині з'являються вільні електрони. |
| 14.
|
Дірки (відсутності електронів в атомах
напівпровідника), які мають позитивний заряд, що дорівнює за модулем заряду
електрона. |
Таблиця 10.2
|
Номер запитання, завдання
|
Запитання, завдання
|
Номер відповіді
|
| 1.
|
Який електронний пристрій називається напівпровідниковим
діодом? |
|
| 2.
|
Як напівпровідниковий діод позначається на принциповій
електричній схемі? |
|
| 3.
|
Опишіть роботу напівпровідникового діода, використовуючи
його вольт-амперну характеристику. |
|
| 4.
|
Перелічіть технічні параметри напівпровідникового діода. |
|
| 5.
|
Як вибрати напівпровідниковий діод? |
|
| 6.
|
Який електронний пристрій називається стабілітроном? |
|
| 7.
|
Як стабілітрон позначається на принциповій електричній
схемі? |
|
| 8.
|
Приведіть принципову електричну схему стабілізації
напруги з розшифровкою літерних позначень. |
|
| 9.
|
Опишіть роботу наведеної схеми стабілізації напруги. |
|
| 10.
|
Приведіть принципову електричну схему
однопівперіодного випрямлення змінного синусоїдного струму з понижувальним
трансформатором з розшифровкою літерних позначень. |
|
| 11.
|
Опишіть роботу наведеної схеми однопівперіодного випрямлення. |
|
| 12.
|
Зобразіть графічно випрямлений струм. |
|
| 13.
|
Приведіть принципову електричну схему
двопівперіодного випрямлення змінного синусоїдного струму з понижувальним
трансформатором з розшифровкою літерних позначень. |
|
| 14.
|
Опишіть роботу наведеної схеми двопівперіодного випрямлення. |
|
| 15.
|
Зобразіть графічно випрямлений струм. |
|
| 16.
|
Приведіть принципову електричну схему
двопівперіодного з нульовою точкою випрямлення змінного синусоїдного струму
з понижувальним трансформатором з розшифровкою літерних позначень. |
|
У разі вірного виконання завдання åнепар – åпар = –6
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6 |
