Реферат: Радиоволновые, радиационные методы контроля РЭСИ. Методы электронной микроскопии
Реферат: Радиоволновые, радиационные методы контроля РЭСИ. Методы электронной микроскопии
Министерство
образования Республики Беларусь
Белорусский государственный университет информатики и
радиоэлектроники
кафедра РЭС
РЕФЕРАТ
на тему:
«Радиоволновые, радиационные методы
контроля РЭСИ. Методы электронной микроскопии»
МИНСК, 2008
Радиоволновый метод
Радиоволновые методы основаны на
взаимодействии электромагнитного поля в диапазоне длин волн от 1 до 100 мм с объектом контроля, преобразовании параметров поля в параметры электрического сигнала и
передаче на регистрирующий прибор или средства обработки информации.
По первичному информативному параметру
различают следующие СВЧ-методы: амплитудный, фазовый, амплитудно-фазовый,
геометрический, временной, спектральный, поляризационный, голографический. Область
применения СВЧ-методов радиоволнового вида неразрушающего контроля приведен в
таблице 1 и в ГОСТ 23480-79.
Табл. 1 –
Радиоволновые методы неразрушающего
контроля
Название метода |
Область применения |
Факторы, ограничивающие область применения |
Контролируемые параметры |
Чувствительность |
Погрешность |
Ампли- тудный |
Толщинометрия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов |
Сложная конфигурация. Изменение зазора
между антеной преобразователя и поверхностью конт-роля.
|
Толщина до 100 мм |
1 – 3 мм |
5% |
Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрика |
Дефекты: трещины, расслоения, недопрес-совки |
Трещины более 0,1 – 1 мм |
|
Фазовый |
Толщинометрия листовых материалов и полуфабрикатов,
слоистых изделий и конструкций из диэлектрика. |
Волнистость профиля или поверхности объекта контроля при
шаге менее 10L. Отстройка от влияния амплитуды сигнала |
Толщина до 0,5 мм |
5 – 3 мм |
1% |
|
Контроль «электрической» (фазовой) толщины |
|
Толщина до 0,5 мм |
0,1 мм |
|
Ампли-тудно -фазовый |
Толщинометрия материалов, полуфабрикатов, изделий и конструкций
из диэлектриков, контроль изменения толщины. |
Неоднозначность отсчета при изменении толщины более
0,5А,Е Изменение диэлектрических свойств материала объек-тов контроля
величиной более 2%. Толщина более 50 мм. |
Толщина 0 –
50 мм
|
0,05 мм |
±0,1 мм |
Ампли-тудно -фазовый |
Дефектоскопия слоистых материалов и изделий из
диэлектрика и полупроводника толщиной до 50 мм |
Изменение зазора между антенной преобразователя и поверхностью
объекта контроля. |
Расслоения, включения, трещины, изменения плотности,
неравномер-ное распре-деление составных компонентов |
Включения порядка 0,05А,Е. Трещины с раскрывом порядка 0,05 мм.Разноплот-ность порядка 0,05 г/см3 |
|
Геометрический |
Толщинометря изделий и
конструкций из диэлектриков: контроль абсолютных значений толщины, остаточной
толщины |
Сложная конфигурация объектов
контроля; непараллельность поверхностей. Толщина более 500 мм |
Толщина 0 -500 мм |
1,0 мм |
3-5
%
|
|
Дефектоскопия
полуфабрикатов и изделий: контроль раковин, расслоений, инородных включений в
изделиях из диэлектрических материалов |
Сложная конфигурация объектов
контроля |
Определение глубины залегания
дефектов в пределах до 500 мм |
1,0 мм |
1 –3% |
Времен- |
Толщинометрия конструкций и
сред, являющихся диэлектриками |
Наличие «мертвой» зоны.
На-носекундная техника. При- |
Толщина более 500 мм |
5—10 мм |
5% |
ной |
Дефектоскопия сред из
диэлектриков |
менение генераторов мощностью
более 100 мВт |
Определение глубины залегания
дефектов в пределах до 500 мм |
5 — 10 мм |
5% |
Спектральный |
Дефектоскопия полуфабрикатов
и изделий из радиопрозрачных материалов |
Стабильность частоты генератора
более 10-6 . Наличие источника магнитного поля. Сложность
создания чувствительного тракта в диапазоне перестройки частоты более 10%
|
Изменения в структуре и
физико-химических свойствах материалов объектов контроля, включения |
Микродефекты и
микронеоднород-ности значительно меньшие рабочей длины волны. |
- |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
Поляризационный |
Дефектоскопия полуфабрикатов,
изделий и конструкций из диэлектрических материалов. |
Сложная конфигурация.
Толщина более 100 мм. |
Дефекты структуры и
технологии, вызывающие анизотропию свойств материалов (анизотропия, механические
и термические напряжения, технологические нарушения упорядоченности
структуры) |
Дефекты площадью более 0,5
– 1,0 см2.
|
-
|
Гологра-фичес-кий |
Дефектоскопия
полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрических и полупроводниковых
материалов с созданием видимого (объемного) изображения |
Стабильность частоты генератора
более 10-6. Сложность создания опорного пучка или поля с равномерными
амплитудно -фазовыми характеристиками. Сложность и высокая стоимость аппаратуры.
|
Включения, расслоения,
разнотолщин-ность. Изменения формы объектов. |
Трещины с раскрывом 0,05 мм |
-
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1, 2, 3, 4 |