рефераты рефераты
Главная страница > Курсовая работа: Расчёт усилителя мощности типа ПП2  
Курсовая работа: Расчёт усилителя мощности типа ПП2
Главная страница
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биология
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
География экономическая география
Геодезия
Геология
Госслужба
Гражданский процесс
Гражданское право
Иностранные языки лингвистика
Искусство
Историческая личность
История
История государства и права
История отечественного государства и права
История политичиских учений
История техники
История экономических учений
Биографии
Биология и химия
Издательское дело и полиграфия
Исторические личности
Краткое содержание произведений
Новейшая история политология
Остальные рефераты
Промышленность производство
психология педагогика
Коммуникации связь цифровые приборы и радиоэлектроника
Краеведение и этнография
Кулинария и продукты питания
Культура и искусство
Литература
Маркетинг реклама и торговля
Математика
Медицина
Реклама
Физика
Финансы
Химия
Экономическая теория
Юриспруденция
Юридическая наука
Компьютерные науки
Финансовые науки
Управленческие науки
Информатика программирование
Экономика
Архитектура
Банковское дело
Биржевое дело
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
География
Кредитование
Инвестиции
Информатика
Кибернетика
Косметология
Наука и техника
Маркетинг
Культура и искусство
Менеджмент
Металлургия
Налогообложение
Предпринимательство
Радиоэлектроника
Страхование
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Сочинения по литературе и русскому языку
Теория организация
Теплотехника
Туризм
Управление
Форма поиска
Авторизация




 
Статистика
рефераты
Последние новости

Курсовая работа: Расчёт усилителя мощности типа ПП2

Отметим, что включение транзистора, например, отличным от ОБ способом, не отражает никаких новых физических эффектов в транзисторе. Кроме того, при расчетах схем с транзисторами на компьютерах с помощью моделирующих программ чаще всего вообще никак не учитывается способ включения. Программы используют математические модели транзистора, являющиеся едиными для всех схем включения. Однако, анализ характеристик и параметров различных схем включения часто облегчает понимание принципа работы схемы и получение некоторых предварительных результатов.


Расчета усилителя мощности типа ПП2.

Дано: PН = 15Вт; RН = 8Ом; UВХ = 2…2,5 В; диапазон рабочих частот

f = 40 Гц…16 кГц, режим работы – в классе В.

 



ОПРЕДЕЛЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ

В эмиттерной цепи транзисторов оконечного каскада (VT7, VT8) включены стабилизирующие резисторы R12= R13.

C учётом этих резисторов напряжение одного источника питания (или суммы двух источников E = US1 + US2 при двуполярном питании) в режиме работы усилителя в классе В равно:

 (1.1)

= 34 В

где ξ = 0,95–коэффициент использования напряжения источника питания,

Обычно принимают:

R12 = R13 = 0,05RН                                          (1.2)

 

R12 = R13 = 0,05∙8=0.4Ом

6

Окончательно принимаем стандартные значения напряжений US1 = US2

из ряда: 9; 12; 15; 20; 24; 30; 36 В. Принимаем US1 = US2=20 В.

Выбираем резисторы R12 R13 по ряду Е24.


РАСЧЁТ КОЛЛЕКТОРНОЙ ЦЕПИ ТРАНЗИСТОРОВ (VT7, VT8) ОКОНЕЧНОГО КАСКАДА

 

Амплитудное и действующее значения напряжения на нагрузке:

UH m = US1 / (1,1…1,2)  UH m = 20/ 1,1=18.1 В                  (2.1)

UH = UH m / √2 UH = 18.1 / √2=12.8 (2.2)

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером

UKЭ max ≈ Е UKЭ max ≈ 34 В (2.3)

Максимальный ток коллектора

IK8 max = UH m / RH IK8 max = 18.1 / 8=2.3 А (2.4)

Постоянная составляющая тока коллектора

  (2.5)

Мощность, потребляемая от источника питания

  (2.6)

Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе одного транзистора


  (2.7)

Для оконечного каскада выбираются транзисторы, с паспортными параметрами [8,9, 15], превышающими расчетные::

РK max ПАСП > РK8 max;      IK max ПАСП > IK8 max ;        UKЭ max ПАСП > UKЭ max

 

Выполнив данные условия принимаем транзистор КТ 817Б паспортные параметры которого равны: РK max ПАСП = 25Вт; IK max ПАСП =3А; UKЭ max ПАСП = 45 B;UБЭ =5В. Дополнительные необходимые параметры транзистора h21E = 25, ток базы отсечки Iб0=0.6 mA.

IБ= IК / h21E

124mA

0.6mA

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5

рефераты
Новости