Курсовая работа: Біполярні транзистори
Всі h –
параметри мають певний фізичний зміст:
 – вхідний опір
транзистора при короткозамкненому виході.
( );
 –
коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі при розімкнутому по змінному струмі
вході.
( );
 –
коефіцієнт передачі струму при короткозамкненому виході ( );
 –
вихідна провідність при розімкнутому по змінному струмі вході ( ).
Зазвичай h -
параметри вимірюють при включеннях транзисторів з СБ або СЕ. Зв'язок між h -
параметрами для різних схем включення визначається формулами:
 ;
 /(1+ );  ;
 - /(1+ );  ;
 ;
Для найбільше
часто використовуваних параметрів (коефіцієнт передачі струму при включенні із
СБ і СЕ) уведені додаткові позначення:  =-α;
 .
Залежність між α
і β
визначається рівнянням β=α/(1-α).
Тому що мало-сигнальні параметри вимірюють на низькій частоті (в основному 270
і 1000 Гц), їх можна вважати дійсними величинами.
H - параметри
широко використовуються для аналізу транзисторних схем в режимі малого сигналу,
оскільки дозволяють застосовувати готові формули теорії лінійних
чотириполюсників.
5. Вплив температури на роботу біполярного
транзистора
Вплив
температури на роботу біполярного транзистора обумовлений трьома фізичними
чинниками: зменшенням потенційних бар'єрів в переходах, збільшенням теплових
струмів переходів і збільшенням коефіцієнтів передачі струмів із зростанням
температури. Зменшення потенційного бар'єру j К із зростанням температури
також, як і в ізольованому переході, наводить до посилення інжекції, внаслідок
чого збільшується вхідний струм транзистора.
Збільшення вхідного струму із зростанням температури еквівалентно зсуву
характеристики у бік меншої вхідної напруги. Цей зсув описується температурним
коефіцієнтом напруги
який складає для
кремнієвих транзисторів e = - 3 мВ/град.
Збільшення
теплових струмів переходів із зростанням температури, описується температурними
залежностями струмів, що наводяться в довідниках Iкбо, Iебо.Типові залежності
струмів Iкбо і Iебо від температури для кремнієвого малопотужного транзистора.
|
