Курсовая работа: Физические основы нанесения покрытий методом распыления

Рисунок 5 – Схемы устройств реактивного магнетронного распыления путем разделения областей нахождения инертного и реактивного газов: а – с помощью селективной подачи газов; б – с применением геттерной поверхности; в – с помощью перегородки и относительного движения подложки

Разработаны также устройства, в которых процессы ионного распыления и термического испарения объединены в единый распылительно-испарительный процесс. Это достигается, например, при магнетронном распылении материала, находящегося в жидком агрегатном состоянии. В этом случае значительно повышается производительность процесса распыления и коэффициент использования материала мишени. Это связано с тем, что процесс ионного распыления происходит в приповерхностном слое металла толщиной 0,3...0,8 нм, и на него затрачивается менее 3 % подводимой энергии. Остальная энергия переходит в основном в тепло, вследствие чего приходится интенсивно охлаждать мишень. В разработанных устройствах энергия, которая при распылении из твердой фазы теряется в виде тепла, используется на испарение вещества.

Для осуществления этого процесса между плоским тигелем, изготовленным из тугоплавкого немагнитного материала, и водоохлаждаемой магнитной системой делают небольшой (2-3 мм) зазор, препятствующий отводу тепла от тигеля в процессе распыления помещенной в тигеле мишени (рисунок 6).

Рисунок 6 – Схема устройства для распыления материалов жидкой фазы: 1 – тигель; 2 – расплавленная мишень; 3– анод; 4 – экран; 5 – магнитная система; 6 – подложкодержатель

Рабочий объем откачивают, затем напускают аргон, и между тигелем, выполняющим роль мишени, и анодом прикладывают напряжение, постепенно увеличивая плотность тока на мишени до такой величины, при которой начинается интенсивное расплавление находящегося в тигеле материала. При этом плавится сначала зона, у которой локализована плазма, затем – центральная часть мишени и, наконец, краевая ее область. При определенной плотности тока на мишени начинается интенсивное испарение материала из расплава. При достижении высокой упругости паров распыляемого материала над катодом начинается процесс самораспыления. В этом случае можно прекратить напуск аргона, что существенно снижает загрязнение пленки остаточными газами. Кроме высокой эффективности использования энергии, распылительно-испарительная система позволяет достичь высоких скоростей осаждения.

С целю повышения адгезии покрытий к подложке подводят, как правило, отрицательный потенциал смещения ~ 100 В, что позволяет увеличить плотность и энергию ионов.

1.4 Высокочастотное распыление

Данный метод используется, как правило, для распыления диэлектриков. Отличается от катодного распыления тем, что на электроды, один из которых расположен под распыляемым диэлектриком, подается высокочастотный потенциал (частота от 1 до 20 МГц) (рисунок 7).

Рисунок 7 – Схема высокочастотного распыления. 1– распыляемый диэлектрик; 2– подложкодержатель; 3– изделие

При подаче отрицательного потенциала на мишень (рисунок 7.22, а) протекают процессы ее распыления ионами аргона и одновременно их адсорбция на поверхности. В итоге между электродами создается тормозящее электрическое поле, приводящее к снижению и даже прекращению распыления. При замене знака потенциала, подаваемого на диэлектрическую мишень, на положительный ее поверхность обрабатывается электронами, что приводит к нейтрализации адсорбированного заряда (рисунок 7.22.б). Оптимальными условиями является равенство характерного времени зарядки поверхности полупериоду высокочастотных колебаний, подаваемых на электроды.

Характерные параметры процесса:

-частота изменения потенциала– 1…20 МГц;

-cкорость распыления – 2·106…2·107 г/(см2·с);

-удельная испаряемость – β=6·10-7 г/Дж;

-энергия распыленных частиц – до 200 эВ;

-скорость осаждения покрытия – до 3 нм/с;

-оптимальное давление в камере– 2…3 Па.

Данный процесс относится к классу плазменных (плазмохимических) процессов, особенно при распылении высокомолекулярных (полимерных) материалов.

При введении в камеру химически активных газов предоставляется возможность получения пленок соответствующего состава. Таким методом получают, в частности, пленки из высокотемпературной сверхпроводящей керамики.

Метод ВЧ-распыления находит промышленное применение при осаждении износостойких и коррозионно-стойких покрытий SiO2, оксида алюминия Al2O3 и из других химических соединений.

1.5 Получение покрытий распылением в несамостоятельном газовом разряде

Несамостоятельный газовый разряд – разряд, для поддержания которого необходим постоянный подвод энергии извне. Для инициирования и поддержания газового разряда, как правило, используют:

1) заряженные частицы, например, электроны, генерируемые отдельным источником;

2) ультрафиолетовое или γ- излучение (образование заряженных частиц происходит вследствие ионизации или фотоэффекта);

3) внешнее высокочастотное электромагнитное поле.

В технологии получения покрытий наиболее часто в качестве внешнего ионизатора используют электроны, источником которых является, например, размещенный в камере термокатод. Наиболее простой реализацией данного метода является трехэлектродное устройство распыления с термокатодом (рисунок 8).

Рисунок 8 – Схема распыления в несамостоятельном газовом разряде: 1– термокатод; 2– анод; 3– распыляемая мишень; 4– изделие

Использование несамостоятельного газового разряда позволяет значительно снизить начальное давление в камере и, таким образом, уменьшить концентрацию химически активных газов и, соответственно, повысить химическую однородность покрытий.

При реализации данного метода достигаются следующие характерные параметры:

-скорость осаждения – до 0,1 мкм/мин. При этом скорость распыления регулируется в широких пределах, например, путем изменения тока эмиссии термокатода;

-удельная испаряемость β ≈ 10-7 г/Дж.

Преимущества метода распыления в несамостоятельном газовом разряде по сравнению с другими методами заключаются:

1) в универсальности, т.к. можно получать покрытия любой природы, в том числе из самых тугоплавких материалов, полимеров;

2) высокой сплошности и адгезии формируемых покрытий (они не содержат включения активных газов и химических соединений с их участием);

3) возможности получения покрытий сложного состава (карбидов, нитридов, оксидов);

4) достижении относительно высокой скорости распыления и, соответственно, скорости роста покрытий.

1.6 Методы контроля параметров осаждения покрытий

Для получения вакуумных покрытий с воспроизводимыми свойствами нужен контроль технологических параметров процесса на всех его стадиях. К числу наиболее важных параметров, оказывающих влияние на свойства покрытий, следует отнести:

- режимы процессов испарения или распыления;

- химический состав и давление остаточных газов в камере;

- параметры распыленных или испаренных атомов (степень ионизации частиц, их кинетическую энергию, химический состав, пространственное распределение и др.);

- характеристики состояния поверхности подложки (температуру поверхности подложки, ее шероховатости, степень однородности и полный химический состав, структуру поверхностных слоев, условия и режим очистки);

- режимы осаждения (скорость роста, толщину покрытия и характер ее распределения по подложке, величину нагрева непосредственно в процессе осаждения);

- условия и режим последующей обработки тонкопленочной системы.

Химический состав газовой фазы, парциальное давление отдельных ее компонент определяется с помощью газовых масс-спектрометров различного типа: с электромагнитным разделением ионов, времяпролетных, квадрупольных и др. Они отличаются методом разделения ионов. Наиболее простыми и технологическими при эксплуатации являются времяпролетные масс-спектрометры, принципиальная схема которых представлена на рисунке 9.

Рисунок 9 – Схема времяпролетного масс-спектрометра: 1– анализируемый газ; 2– зона ионизации; 3 – анод; 4– камера дрейфа; 5– катод; 6– сеточные электроды камеры ионизации; 7– система регистрации ионного тока

Ионы, образующиеся в зоне ионизации, выталкиваются из нее пилообразным потенциалом φ, который подается на сеточный электрод 6. Образовавшийся пакет ионов, имеющих различную в зависимости от массы скорость

vi =(2eφ/mi)1/2,

попадает в камеру дрейфа длиной L = 400…800 мм, в которой происходит разлет ионов по массе: легкие ионы первыми в пакете достигают регистрирующей системы. С помощью системы обработки электрический сигнал преобразуется в масс-спектр. Основное преимущество таких масс-спектрометров – возможность регистрации быстропротекающих изменений химического состава газовой фазы.

Масс-спектрометры с электромагнитным разделением ионов являются, как правило, более точными и принцип их действия основан на явлении искривления траектории движения заряженных частиц в поперечном магнитном поле под действием силы Лоренца.

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6