рефераты рефераты
Главная страница > Курсовая работа: Микропроцессорная системы отображения информации  
Курсовая работа: Микропроцессорная системы отображения информации
Главная страница
Новости библиотеки
Форма поиска
Авторизация




 
Статистика
рефераты
Последние новости

Курсовая работа: Микропроцессорная системы отображения информации

Рисунок 10 – Принципиальная схема ключей анодов сканирования.

Если с дешифратора подается напряжение высокого уровня, то транзистор оказывается запертым и на анод подается напряжение, близкое к 200 В и возникает разряд. Если же с дешифратора подается напряжение низкого уровня, то транзистор оказывается открыт, на анод подается напряжение, близкое к 0 В и разряд не возникает.

Выберем транзистор КТ809А, который предназначен для работы в выходных каскадах строчной развертки, в мощных импульсных усилителях и имеет следующие параметры:

- постоянный ток коллектора, , A 3

- постоянный ток базы, , А 1,5

- импульсный ток коллектора, , А 5

- постоянное напряжение эмиттер – база, , В 4

- постоянное напряжение коллектор – эмиттер, , В 400

- напряжение насыщения коллектор – эмиттер, , В 0,6

- напряжение насыщения база – эмиттер, , В 1,3

- постоянная рассеиваемая мощность коллектора, , Вт 40

- статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ,  30

Примем, что ток базы транзистора равен 0,1 мА. Тогда ток коллектора определим по формуле:

 ,

 мА.

Когда транзистор открыт, то ток коллектора равен:

 ,

Тогда:

 .

Поскольку ток по системе индикации не более 2,5 мА, примем  мА тогда:

 мА.

Сопротивление R42 определится по формуле:

,

 Ом.

Выберем стандартное значение  кОм.

Мощность рассеяния сопротивления R42 определим по формуле ( 4 ) :

 Вт.

Рассчитаем сопротивление резистора базы R41, учитывая, что через него протекает ток базы только одного транзистора, потому что ключи работают попеременно. Сопротивление можно подсчитать по формуле:

,

 Ом.

Выберем стандартное значение  кОм.

Мощность рассеяния сопротивления R41 определим по формуле ( 4 ) :

 мВт.

Поскольку в каждый момент времени открыт только один транзистор, то ток потребления будет равен :

 ,

 мА.

Произведем расчет БС1 на примере ключа Кл1 (рисунок 12).

 

Рисунок 12 – Принципиальная схема ключа катода индикации

Схема работает следующим образом. Если знакогенератор в данном такте выдает информацию, то на его выходе устанавливается высокий уровень напряжения, которое подается на базу транзистора VT1. Тогда транзистор VT1 открывается, и делитель напряжения R7–R8 устанавливает на эмитттере VT2 напряжение 30 В и возникает разряд. Если знакогенератор не выдает информацию, то на его выходе появится напряжение низкого уровня и транзистор VT1 закроется. Тогда на эмиттере VT2 появится напряжение 195 В и разряд не возникает.

Выберем для ключей транзисторы КТ809А.

Рассмотрим случай, когда на эмиттере VT2 будет напряжение 195 В, т. е. транзистор VT1 закрыт.

Учитывая, что ток по системе индикации составляет  мА и , получим: , т. е.:  мА.

Тогда ток базы транзистора VT2 будет равен:

,

 мкА.

Примем ток через резистор R9 равным

Тогда:

 мкА.

Ток через резистор R7 равен:

.

 мкА.

Определим потенциал базы транзистора:

 .

Для того чтобы обеспечить ток базы транзистора  мкА, необходимо приложить напряжение  В.

Тогда:

 В.

Тогда R7 определим по формуле:

,

 Ом.


Выберем стандартное значение  кОм.

Мощность рассеяния сопротивления R7 определим по формуле ( 4 ) :

 мкВт.

Сопротивление R9 можно рассчитать по формуле:

 ,

 Ом.

Выберем стандартное значение  кОм.

Мощность рассеяния сопротивления R9 определим по формуле ( 4 ) :

 мкВт.

Сопротивление коллектора R10 рассчитаем по формуле:

,

 Ом.

Выберем стандартное значение  кОм.

Мощность рассеяния сопротивления R10 определим по формуле ( 4 ) :

 мВт.

Теперь рассмотрим случай, когда на эмиттере VT2 будет напряжение 30 В, т. е. транзистор VT1 открыт.

Тогда на базе транзистора VT2 будет напряжение:

 В.

Ток через резистор R7 определим по формуле:

,

 мА.

Ток коллектора транзистора VT1 равен:

 ,

 мА.

Сопротивление R8 будет равно:

,

 Ом.

Выберем стандартное значение  кОм.

Мощность рассеяния сопротивления R8 определим по формуле ( 4 ) :

 мВт.

Ток базы транзистора будет равен:


 ,

 мкА.

Для того, чтобы обеспечить ток базы транзистора  мкА, необходимо приложить напряжение  В.

Поскольку выходное напряжение высокого уровня с логического элемента равно  В, то для согласования уровней требуется сопротивление R6:

 ,

 Ом.

Выберем стандартное значение  кОм.

Мощность рассеяния сопротивления R6 определим по формуле ( 4 ) :

 мкВт.

Информационные выходы ПЗУ подключим к блоку согласования уровней, а блок согласования к катодам индикаторов. Индикаторы подключим следующим образом: все катоды однотипных сегментов соединим параллельно и подключим к ПЗУ знакогенератора через блок согласования БС1, аноды подключим к дешифратору и блоку согласования БС2.

Рассчитаем частоту отображения информации. Поскольку для сканирования индикаторов используется дешифратор К155ИД3, который производит поочередную активацию всех своих 16 выходов, то частота сканирования составит:

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14

рефераты
Новости