Дипломная работа: Разработка лабораторной установки по исследованию каналов утечки речевой информации
Изготовлена экранированная
звукопоглощающая камера, являющаяся основой лабораторного стенда.
Разработана функциональная и принципиальная
схема датчика акустического поля, изготовлен макет устройства.
Разработан алгоритм проведения
лабораторных работ по исследованию акустических, вибрационных и
акустоэлектрических каналов утечки речевой информации.
Проведены экспериментальные исследования
акустических и вибрационных каналов утечки речевой информации на основе
предложенных преград.
Проведены экспериментальные
исследования телефонного аппарата "Телур" и электродинамического
громкоговорителя 5 ГДШ, линии связи которых могут являться акустоэлектрическим
каналом утечки речевой информации.
Все экспериментальные значения
обработаны в соответствии с алгоритмом проведения лабораторных работ.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1.
Исследование
систем виброакустического зашумления // Конфидент. 1998. №4.
2.
Справочник по
акустике / Иофе В.К., Корольков В.Г., Сапожков М.А. / Под ред. М.А. Сапожкова.
– М.: Связь, 1979. 312с.
3.
Абрамов Ю.В.,
Калиниченко М.В., Каргашин В.Л. Опыт практических работ по виброакустической
защите выделенных помещений от утечки речевой информации // Научно-практическая
конференция "Ключевые проблемы банковской безопасности" Третьего
московского международного форума "Технология безопасности – 98".
1998
4.
Покровский Н.Б.
Расчет и измерение разборчивости речи. М.: Связьиздат, 1962
5.
Хорев А.А. Защита
информации от утечки по техническим каналам. Часть 1. Технические каналы утечки
информации. М.: Гостехкомиссия РФ, 1998
6.
Рекомендации по
применению, устройству и монтажу экранированных помещений и кабин / Под ред.
Н.Б. Полонского. М.: Связь, 1966. 81с.
ПРИЛОЖЕНИЕ 3
| Зона |
Позиц. обозн. |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
|
|
Т1 |
Трансформатор ТПП 271 127/220 50 |
1 |
|
|
|
FU1-FU4 |
Предохранитель ВП 4-14 |
4 |
|
|
|
W04M1-W04M4 |
Диодный мост W005 |
4 |
|
|
|
C1, C2 |
Конденсатор REC
470мк´50В |
2 |
|
|
|
C3, C4 |
Конденсатор REC
1мк´50В |
2 |
|
|
|
C5, C6 |
Конденсатор REC
100мк´25В |
2 |
|
|
|
C7, C8 |
Конденсатор REC
470мк´50В |
2 |
|
|
|
C9, C10 |
Конденсатор REC
1мк´50В |
2 |
|
|
|
С11, C12 |
Конденсатор REC
100мк´25В |
2 |
|
|
|
С13 |
Конденсатор REC
1мк´16В |
1 |
|
|
|
С14 |
Конденсатор REC
1мк´16В |
1 |
|
|
|
С15-С26 |
Конденсатор К10-17а 10н |
12 |
|
|
|
С27-С34 |
Конденсатор REC
1мк´16В |
8 |
|
|
|
С35 |
Конденсатор REC
22мк´16В |
1 |
|
|
|
С36, С37 |
Конденсатор К10-17а 100н |
2 |
|
|
|
С38 |
Конденсатор К10-17а 240н |
1 |
|
|
|
DA1 |
Микросхема LM337 |
1 |
|
|
|
DA2 |
Микросхема КР142ЕН12А |
1 |
|
|
|
DA3 |
Микросхема LM337 |
1 |
|
|
|
DA4 |
Микросхема КР142ЕН12А |
1 |
|
|
|
DA5-DA9 |
Микросхема К157УД2 |
5 |
|
|
|
DA10 |
Микросхема TDA
2030 |
1 |
|
|
|
VD1, VD2 |
Светодиод АЛ 307К |
2 |
|
|
|
VD3 |
Стабилитрон Д814 |
1 |
|
|
|
VD4, VD5 |
Диод 1N4002 |
2 |
|
|
|
R1
|
Резистор МЛТ 0.125 240 10% |
1 |
|
|
|
R2 |
Резистор СП3-38б 6,8к |
1 |
|
|
|
R3 |
Резистор МЛТ 0.125 240 10% |
1 |
|
|
|
R4 |
Резистор СП3-38б 6,8к |
1 |
|
|
|
R5, R6 |
Резистор МЛТ 0.125 240 10% |
2 |
|
|
|
R7, R8 |
Резистор СП3-38б 6,8к |
2 |
|
|
|
R9, R10 |
Резистор МЛТ 0.125 1к 10% |
2 |
|
|
|
R11 |
Резистор СП3-4ам 1,2 к |
1 |
|
|
|
R12 |
Резистор МЛТ 0.125 100 10% |
1 |
|
|
|
R13 |
Резистор МЛТ 0.125 1к 10% |
1 |
|
|
|
R14 |
Резистор МЛТ 0.125 100к 10% |
1 |
|
|
|
R15 |
Резистор МЛТ 0.125 75к 10% |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| Изм |
Лист |
№ докум |
Подп |
Дата |
| Разраб. |
|
|
|
| Пров. |
|
|
|
Акустический излучатель. Спецификация |
Литера |
Лист |
Листов |
| Н. Контр. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Утверд. |
|
|
|
|
|
|
|
|
| Зона |
Позиц. обозн. |
Наименование |
Кол. |
Примечание |
|
|
R16 |
Резистор МЛТ 0.125 15к 10% |
1 |
|
|
|
R17 |
Резистор МЛТ 0.125 43к 10% |
1 |
|
|
|
R18 |
Резистор МЛТ 0.125 2к 10% |
1 |
|
|
|
R19 |
Резистор МЛТ 0.125 22к 10% |
1 |
|
|
|
R20 |
Резистор МЛТ 0.125 620 10% |
1 |
|
|
|
R21 |
Резистор МЛТ 0.125 11к 10% |
1 |
|
|
|
R22 |
Резистор МЛТ 0.125 220 10% |
1 |
|
|
|
R23 |
Резистор МЛТ 0.125 5,1к 10% |
1 |
|
|
|
R24 |
Резистор МЛТ 0.125 510 10% |
1 |
|
|
|
R25 |
Резистор МЛТ 0.125 2,7к 10% |
1 |
|
|
|
R26 |
Резистор МЛТ 0.125 120 10% |
1 |
|
|
|
R27 |
Резистор МЛТ 0.125 30к 10% |
1 |
|
|
|
R28 |
Резистор МЛТ 0.125 13к 10% |
1 |
|
|
|
R29 |
Резистор МЛТ 0.125 2к 10% |
1 |
|
|
|
R30 |
Резистор МЛТ 0.125 7,5к 10% |
1 |
|
|
|
R31 |
Резистор МЛТ 0.125 3,6к 10% |
1 |
|
|
|
R32 |
Резистор МЛТ 0.125 180 10% |
1 |
|
|
|
R33 |
Резистор МЛТ 0.125 1,6к 10% |
1 |
|
|
|
R34 |
Резистор МЛТ 0.125 270 10% |
1 |
|
|
|
R35 |
Резистор МЛТ 0.125 820 10% |
1 |
|
|
|
R36 |
Резистор МЛТ 0.125 110 10% |
1 |
|
|
|
R37 |
Резистор МЛТ 0.125 81к 10% |
1 |
|
|
|
R38 |
Резистор МЛТ 0.125 9,1к 10% |
1 |
|
|
|
R39 |
Резистор МЛТ 0.125 43к 10% |
1 |
|
|
|
R40 |
Резистор МЛТ 0.125 2,2к 10% |
1 |
|
|
|
R41 |
Резистор МЛТ 0.125 20к 10%
|
1 |
|
|
|
R42 |
Резистор МЛТ 0.125 24к 10% |
1 |
|
|
|
R43 |
Резистор МЛТ 0.125 10к 10% |
1 |
|
|
|
R44 |
Резистор МЛТ 0.125 1,3к 10% |
1 |
|
|
|
R45 |
Резистор МЛТ 0.125 5,6к 10% |
1 |
|
|
|
R46-R51 |
Резистор МЛТ 0.125 1к 10% |
6 |
|
|
|
R52-R57 |
Резистор СП3-4ам 22к |
6 |
|
|
|
R58 |
Резистор МЛТ 0.125 3к 10% |
1 |
|
|
|
R59 |
Резистор СП3-4ам 22к |
1 |
|
|
|
R60 |
Резистор МЛТ 0.125 22к 10% |
1 |
|
|
|
R61 |
Резистор МЛТ 0.125 680 10% |
1 |
|
|
|
R62 |
Резистор МЛТ 0.125 22к 10% |
1 |
|
|
|
R63 |
Резистор МЛТ 0.125 1 10% |
1 |
|
|
|
R64 |
Резистор МЛТ 0.125 180к 10% |
1 |
|
|
|
S1-S3 |
Переключатель 12П4Н |
3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| Изм |
|
|
|
Дата |
| Разраб. |
|
|
|
| Пров. |
|
|
|
Акустический излучатель. Спецификация |
Литера |
Лист |
Листов |
| Н. Контр. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Утверд. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ПРИЛОЖЕНИЕ 4
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26 |
