рефераты рефераты
Главная страница > Дипломная работа: Разработка лабораторной установки по исследованию каналов утечки речевой информации  
Дипломная работа: Разработка лабораторной установки по исследованию каналов утечки речевой информации
Главная страница
Банковское дело
Безопасность жизнедеятельности
Биология
Биржевое дело
Ботаника и сельское хоз-во
Бухгалтерский учет и аудит
География экономическая география
Геодезия
Геология
Госслужба
Гражданский процесс
Гражданское право
Иностранные языки лингвистика
Искусство
Историческая личность
История
История государства и права
История отечественного государства и права
История политичиских учений
История техники
История экономических учений
Биографии
Биология и химия
Издательское дело и полиграфия
Исторические личности
Краткое содержание произведений
Новейшая история политология
Остальные рефераты
Промышленность производство
психология педагогика
Коммуникации связь цифровые приборы и радиоэлектроника
Краеведение и этнография
Кулинария и продукты питания
Культура и искусство
Литература
Маркетинг реклама и торговля
Математика
Медицина
Реклама
Физика
Финансы
Химия
Экономическая теория
Юриспруденция
Юридическая наука
Компьютерные науки
Финансовые науки
Управленческие науки
Информатика программирование
Экономика
Архитектура
Банковское дело
Биржевое дело
Бухгалтерский учет и аудит
Валютные отношения
География
Кредитование
Инвестиции
Информатика
Кибернетика
Косметология
Наука и техника
Маркетинг
Культура и искусство
Менеджмент
Металлургия
Налогообложение
Предпринимательство
Радиоэлектроника
Страхование
Строительство
Схемотехника
Таможенная система
Сочинения по литературе и русскому языку
Теория организация
Теплотехника
Туризм
Управление
Форма поиска
Авторизация




 
Статистика
рефераты
Последние новости

Дипломная работа: Разработка лабораторной установки по исследованию каналов утечки речевой информации

Таким образом можно сделать вывод об улучшении маскирующих свойств данного канала при увеличении внешнего уровня шумов.

5.3 Экспериментальные исследования вибрационного канала

Исследования параметров вибрационного канала производится аналогично пунктам 5.2.1. и 5.2.2, поэтому данные полученные в ходе экспериментальных исследований не приводятся.

5.4 Экспериментальные исследования акустоэлектрического канала

Проведем исследования акустоэлектрического канала утечки речевой информации в соответствии с методикой представленной в пункте 4.2.

В качестве исследуемых образцов выбираем: телефонный аппарат "Телур" и электродинамический громкоговоритель 5 ГДШ.

Зададимся нормированной величиной Eн=1 мкВ и Р0 = 80 дБ

5.4.1  Исследования телефонного аппарата "Телур"

Найдем число точек измерения в соответствии с пунктом 2.1 методики.

При частотном анализе выяснилось что, данное техническое средство не имеет ярковыраженных пиков во всем диапазоне частот, поэтому число точек анализа определяется количеством октав.

Результаты экспериментальных исследований телефонного аппарата "Телур" приведены в табл. П.5.1.

Далее по формулам 4.7.-4.9. построим зависимость Рдоп(Рn). Зависимость Pдоп (Рn) представлена на рис. П.5.1.

Таким образом, можно сделать вывод о том, что данный канал будет являться защищенным при внешнем уровне звукового давления, в месте установки телефонного аппарата, не превышающим 95 дБА. Если уровень звукового давления будет превышать данную величину, то необходимо защищать канал с помощью специальных технических мер.

5.4.2  Исследования электродинамического громкоговорителя 5 ГДШ

Найдем число точек измерения в соответствии с пунктом 2.1 методики.

При частотном анализе выяснилось что, данное техническое средство не имеет ярковыраженных пиков во всем диапазоне частот, поэтому число точек анализа определяется количеством октав.

Результаты экспериментальных исследований электродинамического громкоговорителя 5 ГДШ приведены в табл. П.5.2.

Далее по формулам 4.7.-4.9. построим зависимость Рдоп(Рn). Зависимость Pдоп (Рn) представлена на рис. П.5.2.

Таким образом, можно сделать вывод о том, что данный канал будет являться защищенным при внешнем уровне звукового давления, в месте установки электродинамического громкоговорителя 5 ГДШ, не превышающим 78 дБА.

При сравнении данных устройств можно сказать, что телефонный аппарат является более защищенным в плане акустоэлектрических преобразований по сравнению с электродинамическим громкоговорителем.


6. ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

В данном дипломном проекте необходимо разработать лабораторный стенд для исследования акустических, вибрационных и акустоэлектрических каналов утечки речевой информации (каналов). Основу лабораторного стенда составляют как набор штатной электронной аппаратуры (генератор сигналов низкочастотный Г3-102, анализатор спектра Я4С-68, осциллограф С1-99, селективный микровольтметр В6-9, точный импульсный шумомер типа 00017), так и ряд нестандартной техники, в частности, датчик акустического поля, экранированная эхо-камера.

Задачей дипломного проекта ставится создание данных нестандартных устройств и разработка методики проведения лабораторных работ по исследованию вышеперечисленных каналов.

6.1  Сетевой график

Для четкого планирования и выбора оптимального пути на этапах проектирования, изготовления, наладки и исследования необходимо составить сетевой график. Параметры сетевого графика приведены в табл.П.5.1. На рис.6.1. показаны пути решения сетевого графика.

Рис. 6.1. Сетевой график


Таблица 6.1

Расчет продолжительности путей сетевого графика

Обозначение пути Последовательность событий пути

t (Ls)

R (Ls)

Примечание

L1

0-1-2-3-4-16-17-18 36 35

L2

0-1-2-3-5-14-15-17-18 39 32

L3

0-1-2-3-6-7-8-9-10-11-12-13-17-18 71 0 Критический путь

L1= 2+5+5+10+1+10+3 = 36;

L2= 2+5+5+10+1+3+10+3 = 39;

L3= 2+5+5+10+3+5+2+1+15+5+5+10+3 = 71.

Первый путь L1 представляет собой поиск и покупку готового изделия с характеристиками, требуемыми ТЗ. Второй путь L2 предполагает использование комплекса аппаратуры, составленного из отдельных закупленных блоков, удовлетворяющим ТЗ. Путь L3 предполагает полностью самостоятельное создание устройства от анализа ТЗ до изготовления опытного образца. Путь L3 является критическим, т.е. самым продолжительным.

Как видим из сетевого графика, самыми быстрыми путями решения проблемы являются пути L1 и L2 использование этих путей маловероятно из-за большой стоимости как комплекса аппаратуры в целом, так и его отдельных блоков. Этап дипломного проектирования предполагает изучение всего пути создания радиоэлектронного устройства, поэтому наиболее приемлемо использование пути L3.

6.2  Экономическая оценка разработки

Проведем оценку затрат на проектирование системы на основе точного метода расчета себестоимости проектируемого изделия. В основе точного метода расчета себестоимости лежит использование системы технико-экономических норм и нормативов всех видов текущих затрат. Исходными данными для проведения этого расчета являются: спецификация основных сборочных единиц, спецификация основных материалов, покупных изделий, нормы трудоемкости по видам работ, тарифные ставки по видам работ, амортизация оборудования, затраты на электроэнергию и т.д.

6.2.1  Затраты на покупку комплектующих деталей

Затраты на покупку комплектующих деталей вычисляются исходя из цен на радиоэлектронные элементы по состоянию на 01.12.2001 (момент покупки) в магазине "Промэлектроника", и представлены в табл. 6.2.

Таблица 6.2

Смета затрат на покупные детали

Покупные изделия Количество на РЭА

Цена за единицу,

руб./шт.

Сумма на РЭА, руб.
Наименование Техническая характеристика
Микросхема К174УН19 1 20 20
Микросхема К157УД2 5 3,5 17,5
Микросхема LM337 2 12 24
Микросхема КР142ЕН12А 2 4 8
Диод W005 4 3 12
Конденсатор K10-50 4 5 20
Стабилитрон KC 175A 1 3,5 3,5
Резистор МЛТ 0,125 50 0,8 40
Резистор СП 3-30 7 16,2 113,4
Трансформатор ТПП 220 171 1 200 200
Конденсатор К10-17А 10 0,9 9
Итого 467,4

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26

рефераты
Новости